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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3183個 瀏覽：259524次 帖子：484個

      igbt技術

      碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點

      碳化硅MOS優(yōu)點：高頻高效，高耐壓，高可靠性?？梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

      2023-04-12 標簽：變壓器MOSFETIGBT 6.4k 0

      變頻器電路的EMC方案設計

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      變頻技術的應用非常廣，例如變頻空調(diào)、變頻熱泵、變頻地暖、變頻傳送帶等利用變頻器技術的應用非常廣泛。雖然變頻技術的應用非常廣，優(yōu)點也非常多，但是，對于變頻...

      2023-04-12 標簽：PCB變頻器IGBT 3k 0

      英飛凌EconoPIM3 IGBT模塊內(nèi)部結構拆解

      模塊內(nèi)部左上方還集成了一個單獨的IGBT，邊上還有一個相應的小的二極管。用于制動的和由于這個IGBT的面積小，所以功率電流小，用于制動，也就是制動單元。

      2023-04-11 標簽：英飛凌二極管熱敏電阻 9.1k 0

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      這幾年來伴隨可再生能源以及分布式發(fā)電技術的發(fā)展，在光伏發(fā)電系統(tǒng)中Heric逆變器的應用也越來越廣泛。

      2023-04-11 標簽：逆變器電力系統(tǒng)IGBT 4.1k 0

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      2023-04-11 標簽：UPSIGBT快恢復二極管 2.7k 0

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      未來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

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      薩科微slkor半導體的高速低側柵極驅動器SL27511介紹

      電機作為工業(yè)生產(chǎn)的一種重要設備，為了能夠滿足不同應用場景需求，對電機的控制要求也不斷的提高。

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      　　上篇我們聊了變頻器主回路的設計和計算，主要的還是主要參數(shù)的計算以及選型的注意事項，今天我們繼續(xù)往下說，聊聊變頻器的輔助電源部分。

      2023-04-08 標簽：電源設計變頻器DC-DC 4.4k 0

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      IGBT由柵極（G）、發(fā)射（E）和集電極（C）三個極控制。 如圖1，IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGB...

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      前面我們也聊到過IGBT的柵極驅動設計，雖然今天聊的可能有些重復，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當回顧和加重記憶吧。

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