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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的...

2023-10-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊 8.5k 0

茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介

茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介

MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...

2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.8k 0

混合器件的原理及應(yīng)用

混合器件的原理及應(yīng)用

今天想抽出點(diǎn)時(shí)間來(lái)聊一下復(fù)合器件(Si IGBT + SiC MOSFET),我也不太清楚這個(gè)中文名字應(yīng)該叫什么,文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...

2023-10-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 2k 0

雙模塊如何實(shí)現(xiàn)盡可能高的功率密度

雙模塊如何實(shí)現(xiàn)盡可能高的功率密度

氣候變化、人口結(jié)構(gòu)變化和城市化等大趨勢(shì)正在改變世界。這些推動(dòng)了能源效率、綠色能源和電氣化等行業(yè)趨勢(shì),這些關(guān)鍵主題提出了新的要求和挑戰(zhàn)。工程師的目標(biāo)是在下...

2023-10-24 標(biāo)簽:模塊逆變器IGBT 1.7k 0

淺談電動(dòng)汽車中逆變器技術(shù)和市場(chǎng)分析

淺談電動(dòng)汽車中逆變器技術(shù)和市場(chǎng)分析

逆變器在電動(dòng)汽車和混動(dòng)汽車中發(fā)揮著重要作用。其主要功能是將車載電池組提供的直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電,用于汽車的電機(jī)。此外,在再生制動(dòng)期間,逆變器將交流電轉(zhuǎn)...

2023-10-24 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)逆變器IGBT 3.5k 0

合泰半橋電磁爐應(yīng)用方案

合泰半橋電磁爐應(yīng)用方案

市面常見電磁爐技術(shù)分為單管電磁爐技術(shù)與半橋電磁爐技術(shù),單管電磁爐主要操作在2千瓦以下,其優(yōu)點(diǎn)為電路架構(gòu)簡(jiǎn)單與成本低,缺點(diǎn)則是通常的單管電磁爐在設(shè)定功率較...

2023-10-20 標(biāo)簽:mcuadcIGBT 4.6k 0

IGBT的并聯(lián)使用方法介紹

IGBT的并聯(lián)使用方法介紹

驅(qū)動(dòng)電路對(duì)動(dòng)態(tài)均流的影響:驅(qū)動(dòng)電路對(duì)并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的,如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同步,則先驅(qū)動(dòng)的IGBT要承擔(dān)大得多的動(dòng)態(tài)電流。

2023-10-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT驅(qū)動(dòng)電路 4.3k 0

談?wù)勚绷鞴β恃h(huán)老化的測(cè)試方法

談?wù)勚绷鞴β恃h(huán)老化的測(cè)試方法

經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個(gè)實(shí)驗(yàn),總覺得這個(gè)不是很簡(jiǎn)單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動(dòng),然后經(jīng)過(guò)幾萬(wàn)次循環(huán),再測(cè)試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來(lái)確...

2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電壓 2.1k 0

IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)

IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需...

2023-10-19 標(biāo)簽:芯片MOS管IGBT 4.5k 0

安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

近年來(lái),我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸

2023-10-19 標(biāo)簽:變頻器IGBT晶體管 709 0

SPWM單極性雙極性控制缺點(diǎn)的幾個(gè)改善方法

SPWM單極性雙極性控制缺點(diǎn)的幾個(gè)改善方法

本文介紹前面SPWM單極性雙極性控制方法缺點(diǎn)的幾個(gè)改善控制方法。

2023-10-18 標(biāo)簽:控制器濾波器IGBT 4.7k 0

IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié),即NPNP結(jié)構(gòu),在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。

2023-10-18 標(biāo)簽:可控硅晶閘管MOS管 1.6萬(wàn) 0

淺析平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)

淺析平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)

在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中,平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個(gè)名詞的時(shí)候,可能會(huì)顧名思義地認(rèn)為,平面型IGBT的電流就是水平流動(dòng)的

2023-10-18 標(biāo)簽:功率二極管MOSFET晶閘管 1.2k 0

TPAK封裝IGBT模塊在新能源電機(jī)控制器上的應(yīng)用

TPAK封裝IGBT模塊在新能源電機(jī)控制器上的應(yīng)用

自從特斯拉第三代電驅(qū)系統(tǒng)選用TPAK SiC模塊獲得廣泛應(yīng)用和一致好評(píng)后,國(guó)內(nèi)各大IGBT模塊封測(cè)廠家、新能源汽車主機(jī)廠及電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開發(fā)商也紛紛把目光投...

2023-10-18 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)控制器翠展微電子 2.1萬(wàn) 0

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來(lái)說(shuō),MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.4k 0

如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

未來(lái)對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí),變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新...

2023-10-17 標(biāo)簽:IGBT三菱電機(jī)功率模塊 1.6k 0

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 522 0

用于最高電壓等級(jí)的硅IGBT和碳化硅MOSFET

用于最高電壓等級(jí)的硅IGBT和碳化硅MOSFET

對(duì)于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無(wú)源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?,再到更?fù)雜的變流器

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 1.5k 0

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

IGBT是變頻器的核心部件,自然要分外關(guān)注。 在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖...

2023-10-16 標(biāo)簽:MOS管IGBT晶體管 2.8k 0

新能源汽車電機(jī)控制器原理及應(yīng)用

新能源汽車電機(jī)控制器原理及應(yīng)用

電機(jī)控制器,作為電動(dòng)汽車的核心部件之一,是汽車動(dòng)力性能的決定性因素。它從整車控制器獲得整車的需求,從動(dòng)力電池包獲得電能,經(jīng)過(guò)自身逆變器的調(diào)制,獲得控制電...

2023-10-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器 3.8k 0

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    光立方
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    SDK
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  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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