igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

新能源汽車 IGBT 功率器件高低溫沖擊測(cè)試

車用 IGBT 模塊對(duì)產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費(fèi)和工控領(lǐng)域, 需要通過嚴(yán)格的車規(guī)認(rèn)證, 汽車 IGBT 模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要參照 AEC-Q101 ...

2023-12-01 標(biāo)簽：新能源汽車測(cè)試 IGBT 1.8k 0

碳化硅的超強(qiáng)性能

電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點(diǎn)尺寸的減小。硅電力開關(guān)，如MOSFETs和IGBTs，被設(shè)計(jì)用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開...

2023-12-02 標(biāo)簽：IGBT SiC MOSEET 681 0

1kA脈沖電流發(fā)生器測(cè)控電路的設(shè)計(jì)案例

脈沖電流是很快的一次性暫態(tài)量，而且電流幅值較大，當(dāng)采集測(cè)試時(shí)，對(duì)測(cè)試設(shè)備元器件要求較高。

2023-12-01 標(biāo)簽：發(fā)生器 IGBT 單片機(jī)控制 2.8k 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異（2）

下面我們?cè)俜治鲆幌虑蛎娼Y(jié)的雪崩電壓。首先對(duì)（7-17）從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分，結(jié)果如下，

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT PN結(jié) 1.5k 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異（1）

回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖，在三維結(jié)構(gòu)中，PN結(jié)的擴(kuò)散窗口會(huì)同時(shí)向x方向和z方向擴(kuò)散，那么在角落位置就會(huì)形成如圖所示的1/8球面結(jié)。

2023-12-01 標(biāo)簽：高電壓 IGBT PN結(jié) 2.3k 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（2）

下面對(duì)電場(chǎng)積分，我們看看隨著增長(zhǎng)，即耗盡區(qū)深度的增長(zhǎng)，柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT PN結(jié)擊穿電壓 1.6k 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異（1）

IGBT是要耐受高電壓的，在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中，我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓，主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT PN結(jié)功率半導(dǎo)體 4.5k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系（2）

上一節(jié)我們建立了基區(qū)寬度與外加電壓隨時(shí)間的變化關(guān)系

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT PIN管載流子 1.5k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系（1）

我們?cè)谖闹蟹磸?fù)提及，電壓是電場(chǎng)的積分，而電場(chǎng)是電荷的積分，所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài)，就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT PN結(jié)電流電壓 1.6k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(3)

至此，我們完整地分析了關(guān)斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲(chǔ)變化，而電荷對(duì)時(shí)間的變化率即對(duì)應(yīng)電流。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT 電壓波形 1.3k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(2)

可以看出，減小遷移率和載流子壽命，可以增大關(guān)斷瞬間的電流突變率。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT BJT 電流突變 1.1k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(1)

現(xiàn)在我們把時(shí)間變量圖片加入，進(jìn)行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓，IGBT內(nèi)部存儲(chǔ)的電荷開始衰減，衰減過程是因?yàn)檩d流子壽命有限而自然復(fù)合

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT 電流突變載流子 1.4k 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)初始值

在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們?cè)敿?xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系，即一維空間的物理關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT MOS BJT 1.2k 0

IGBT電壓與電荷分布之間的關(guān)系（2）

因?yàn)殡娮訌馁M(fèi)米能級(jí)高位向低位流動(dòng)，因此根據(jù)電子電流的流向很容易繪出費(fèi)米能級(jí)的彎曲方向，這里將BJT發(fā)射極到集電極的導(dǎo)帶及價(jià)帶能帶示意圖繪制如圖所示。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT BJT 電壓電流 1.6k 0

IGBT電壓與電荷分布之間的關(guān)系（1）

前面我們基本完成了穩(wěn)態(tài)狀況下，電流（包含電子電流和空穴電流）與電荷分布之間的關(guān)系，下面我們來看看穩(wěn)態(tài)下電壓與電荷分布之間的關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT PN結(jié)BJT 1.6k 0

IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正

如前所述，修正圖片、圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來建立圖片與圖片的關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT PN結(jié)BJT 1.3k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖），因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT MOS PN結(jié) 1.5k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（2）

上一章我們對(duì)IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中，在IGBT的大注入條件下，電子和空穴的運(yùn)動(dòng)相互影響，這個(gè)影響關(guān)系需要用雙極性擴(kuò)散系數(shù)來描述。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT MOS BJT 1.4k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（1）

IGBT作為大功率雙極型開關(guān)器件，持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下，關(guān)斷過程中因?yàn)殡娮与娏?、空穴電流關(guān)斷不同步

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT 電流電壓載流子 1.3k 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（2）

上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT MOS BJT 1.4k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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