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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性
英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計的新型二極管系列:英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能...
變頻器(VFD)在運(yùn)行時突然發(fā)出爆炸聲,同時外部保險絲燒斷,拆機(jī)時發(fā)現(xiàn)VFD的igbt模塊損壞。測試相關(guān)板卡后發(fā)現(xiàn)igbt觸發(fā)電路損壞,其他板卡正常。在...
一種針對小功率電機(jī)驅(qū)動的全新壓注模表面貼裝型智能功率模塊
為了將盡可能多的分立元器件集成到IPM封裝中,我們采用了將IGBT和FWD集成為單個芯片中的RC-IGBT芯片,以確保有足夠的空間用于其他芯片/器件的封...
分析和比較驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對于并聯(lián)IGBT均流特性的影響
本文作者北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院穆峰,劉宜鑫,賈靜雯,郝欣,楊勇,黃先進(jìn) 摘要:隨著電力電子應(yīng)用越發(fā)趨于高壓與高功率密度,單個模塊已經(jīng)無法滿足其需求,功...
4.5kV IGBT/二極管芯片組在高壓直流輸電領(lǐng)域的應(yīng)用
制造商已經(jīng)為高壓直流 (HVDC) 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)/ 二極管芯片組并對其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。
2014-10-28 標(biāo)簽:IGBT英飛凌科技FZ1200R45HL3 5.5k 0
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)的功率半導(dǎo)體器件,因其具有低開關(guān)損...
PicoScope示波器在IGBT動態(tài)性能測試中的應(yīng)用
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是功率半導(dǎo)體的一種,它可以被簡化的看作為一個能夠快速切換的開關(guān),可以被用來通過低壓脈沖來控制高壓信號的通斷。IGBT具有三個...
Littelfuse專為電機(jī)控制和逆變器設(shè)計的IGBT模塊,有何特點(diǎn)
Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),已擴(kuò)充其專為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝...
在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...
變頻器是一種靜止的頻率變換器,可將電網(wǎng)電源的50Hz頻率交流電變成頻率可調(diào)的交流電,作為電動機(jī)的電源裝置,目前在國內(nèi)外使用廣泛。使用變頻器可以節(jié)能、提高...
雙脈沖測試是否能夠反映器件在真實換流中的各種電應(yīng)力
大家好,前段時間在知乎上看到有個網(wǎng)友問:“在大功率變頻器應(yīng)用中,我們常用雙脈沖測試評估器件的動態(tài)特征,在實際中有可比性嗎?”感覺這個問題提的比較好,也是...
硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說,MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動 5.4k 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心,IGBT結(jié)合了MOSFET...
淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動器IC的作用分析
分立式電路的一個顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動器IC集成了對于確??深A(yù)測和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動非常重要的功能。
2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 5.4k 0
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