完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:3183個(gè) 瀏覽:259524次 帖子:484個(gè)
所謂集中過電流保護(hù),就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流,當(dāng)該電流值超過設(shè)定的閾值時(shí),封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2024-02-23 標(biāo)簽:IGBT光電耦合器過流保護(hù)電路 5.2萬 0
IGBT場效應(yīng)管的工作原理 IGBT場效應(yīng)管的選擇方法
IGBT,即絕緣柵雙極晶體管,是一種高效能的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的特性。
MOSFET和IGBT區(qū)別及高導(dǎo)熱絕緣氮化硼材料在MOSFET的應(yīng)用
引言:EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?!EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件,它的普及...
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個(gè) P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的輸入阻抗高和雙極...
短路耐受時(shí)間是指IGBT在短路條件下能夠持續(xù)導(dǎo)通而不發(fā)生故障的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)對(duì)于系統(tǒng)保護(hù)策略的設(shè)計(jì)至關(guān)重要,因?yàn)樗鼪Q定了系統(tǒng)在檢測到短路并采取措施(如關(guān)...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)特性的高效能半導(dǎo)體器件。它特別適用于需要高...
IGBT的結(jié)構(gòu)組成特點(diǎn)是什么
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體器件,具有柵極、集電極和發(fā)射極三個(gè)引腳。其工作原理與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)相似,但同時(shí)具...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(...
FCL的基本工作原理是通過快速改變電路的阻抗來限制故障電流。它通常由電力電子器件(如IGBT、MOSFET等)及其控制電路組成。
2024-02-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 2.4k 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)擊穿短路的原因是一個(gè)復(fù)雜且多元的問題,涉及多個(gè)因素相互作用。以下是對(duì)IGBT擊穿短路原因的詳細(xì)分析,旨在達(dá)到1000字的要求。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,因其高效率和快速開關(guān)特性而受到青睞。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性。
導(dǎo)通時(shí),當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓,電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC(集電極電流)上升到特定值時(shí),VCE(集電極-發(fā)射極電壓)下降的速度。
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別
絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面,通常使用氧化硅(SiO2)等絕緣材料,用于隔離控制電極(柵極)與功率電極(P區(qū)和N+區(qū))。
由于短路會(huì)導(dǎo)致負(fù)載電阻降低或短路,使得電流突然增大。IGBT作為開關(guān)管,其額定電流通常有限,該突然增大的電流可能會(huì)超過IGBT管的額定電流,導(dǎo)致IGBT...
2024-02-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電解電容 3.5k 0
基于EXB841的IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路原理
14、15接驅(qū)動(dòng)信號(hào),一般14腳接脈沖形成部分的地,15腳接輸入信號(hào)的正端,15端的輸入電流一般應(yīng)該小于20mA,故在15腳前加限流電阻。
2024-02-06 標(biāo)簽:IGBTEXB841驅(qū)動(dòng)電路 3.7k 0
一般情況下,由于各廠家的設(shè)計(jì)理念不同,直流側(cè)的電容在設(shè)計(jì)上可能存在差異。當(dāng)變頻器中所使用的濾波電容電容量足夠大,在工作時(shí),能夠吸收較多的能量,使用工況不...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |