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IGBT器件是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,是通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品,非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
具有旁路模式的 40 MHz 至 1 G 中帶 1805 至 2170 MHz 低 850 至 920 MHz、19 dBm 700 至 800 MHz、19 dBm 2110 至 2170 MHz 線性功率 851 至 894 MHz 線性功率放大 758 至 803 MHz 線性功率放大 1930 至 1995 MHz 線性功率 1805 至 1880 MHz 高效 4 800 至 900 MHz 高效 4 W 5 GHz、23dBm 功率放大器,帶功 高功率 ( 19 dBm) 802.11
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