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      gan技術(shù)

      UCC27444-Q1 具有 -5V 輸入能力的汽車類 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      UCC27444-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為...

      2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET功率開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān) 469 0

      UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC27332-Q1 具有 20V VDD 和使能功能的汽車類 9A/9A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC27332-Q1 是一款單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)。UCC27332-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...

      2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET功率開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān) 447 0

      UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC27444 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 4 ...

      2025-05-15 標(biāo)簽：MOSFET功率開(kāi)關(guān)GaN 546 0

      快充電源IC U8731的工作原理

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      GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源ic U...

      2025-05-15 標(biāo)簽：GaN電源IC快充 654 0

      TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...

      2025-05-15 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN 478 0

      GaN與SiC功率器件深度解析

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      本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...

      2025-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1.3k 0

      UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      UCC21231 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 ...

      2025-05-15 標(biāo)簽：可編程晶體管GaN 493 0

      使用基于GaN的OBC應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車EMI傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)

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      本期，為大家?guī)?lái)的是《使用基于 GaN 的 OBC 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車 EMI 傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)》，將深入回顧 CISPR 32 對(duì) OBC 的 EMI 要求，同...

      2025-05-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車濾波器emi 4.1k 0

      氮化鎵PD快充芯片U8733產(chǎn)品概述

      芯片?恒功率控制，意味著無(wú)論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過(guò)高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)...

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      氮化鎵電源IC U8723AHS產(chǎn)品介紹

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      2025-04-30 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 3.3k 0

      氮化鎵電源芯片U8726AHE產(chǎn)品介紹

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      合成金剛石在半導(dǎo)體與量子領(lǐng)域的突破性應(yīng)用

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      合成金剛石因其在多種應(yīng)用中提供極致性能的卓越能力，被譽(yù)為"超級(jí)材料"。其獨(dú)特屬性可深刻改變工藝流程和終端產(chǎn)品性能，適用于半導(dǎo)體、傳感...

      2025-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN金剛石 890 0

      氮化鎵（GaN）無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 提升效率、減小尺寸和降低成本方面

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      本文圍繞氮化鎵（GaN）功率IC在無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)展開(kāi)研究，通過(guò)設(shè)計(jì)實(shí)例和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...

      2025-04-24 標(biāo)簽：氮化鎵GaN無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1k 0

      用于CRPS應(yīng)用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊

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      隨著云計(jì)算和人工智能的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對(duì)電源的需求不斷增加，對(duì)其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中， Common Redundant Po...

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      GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365m?，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降...

      2025-04-22 標(biāo)簽：充電器GaN快充芯片 779 0

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      ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi)，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...

      2025-04-22 標(biāo)簽：氮化鎵GaN寬帶功率放大器 668 0

      ADPA1122 43dBm、20W、GaN 功率放大器，8.2GHz 至 11.8GHz技術(shù)手冊(cè)

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      ADPA1122 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器，在 8.2GHz 至 11.8Ghz 頻率范圍內(nèi)，可提供 43dBm (20W) 功率和高于 4...

      2025-04-22 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵GaN 953 0

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        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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        LoRa技術(shù)
        +關(guān)注
        LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
      • LTE-Advanced
        LTE-Advanced
        +關(guān)注
      • 超外差接收機(jī)
        超外差接收機(jī)
        +關(guān)注
        　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
      • 藍(lán)牙m(xù)esh
        藍(lán)牙m(xù)esh
        +關(guān)注
        藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
      • HBT
        HBT
        +關(guān)注
        　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。
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      jf_38010428 jf_78150839 過(guò)過(guò)小日子 kdhaha jf_30061372 jf_75715919 書(shū)銘永恒 張偉_81592513 鄒廣田 jf_37200696 gp601 aslan1218

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