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LM5113-Q1系列用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強型氮化鎵（GaN） FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...

2025-05-19 標簽：MOSFET 氮化鎵 GaN 612 0

LMG3612 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計的集成驅(qū)動...

2025-08-13 標簽：驅(qū)動器單通道 FET 610 0

LMG3614 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 ...

2025-02-21 標簽：FET GaN 柵極驅(qū)動器 610 0

TIDA-050072 基于GaN的65W USB PD3.0 USB-C 適配器參考設(shè)計

此參考設(shè)計是一個 65W USB PD3.0 適配器適用于許多充電應(yīng)用，包括手機、筆記本電腦和平板電腦。設(shè)計實現(xiàn)高效率和功率密度使用LMG362...

2025-02-24 標簽：usb 適配器平板電腦 607 0

PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48V至12V 1.1kW 1/8 磚型電源模塊參考設(shè)計

此參考設(shè)計展示了高性能 GaN 如何為中間總線轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)高效率和小外形尺寸。 *附件：PMP23340C2K 采用C2000? MCU且支持GaN的48...

2025-02-21 標簽：mcu 連接器電源模塊 606 0

LMG3616 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 ...

2025-08-13 標簽：驅(qū)動器 FET 集成式 605 0

LMG3626EVM-074：LMG3626 用于具有 USB C 型? PD 的 65W 準諧振反激式轉(zhuǎn)換器的評估模塊

LMG3626EVM-074 評估模塊（EVM）使用具有電流感應(yīng)仿真功能的 LMG3626 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-...

2025-02-24 標簽：usb 適配器反激式轉(zhuǎn)換器 600 0

LMG3622EVM-082：LMG3622用于帶 USB Type-C? PD 的 65W準諧振反激式轉(zhuǎn)換器的評估模塊

LMG3622EVM-082 使用具有電流感應(yīng)仿真功能的 LMG3622 集成 GaN FET 演示了 65W USB Type-C? 供電（PD） ...

2025-02-24 標簽：反激式轉(zhuǎn)換器 GaN 電流感應(yīng) 599 0

競爭籌碼幾何？GaN和SiC是共存還是替代呢？

如今，追求功率密度和效率是當今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動力，包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費電子產(chǎn)品、電動汽車和自動駕駛汽車等。

2023-10-17 標簽：電動汽車 SiC GaN 598 0

如何從零開始構(gòu)建深度學習項目？（如何啟動一個深度學習項目）

性能重大提升的背后往往是模型設(shè)計的改變。不過有些時候?qū)δＰ瓦M行微調(diào)也可以提升機器學習的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應(yīng)任務(wù)的基準測試結(jié)果。

2024-01-11 標簽：GaN 機器學習數(shù)據(jù)集 595 0

UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27611 是一款針對 5V 驅(qū)動優(yōu)化的單通道高速柵極驅(qū)動器，專門針對增強型 GaN FET 進行尋址。驅(qū)動電壓 VREF 由內(nèi)部線性穩(wěn)壓器精確控...

2025-05-20 標簽：FET GaN 灌電流 594 0

PD快充芯片U8722SP的工作原理

耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過該值（如動態(tài)波動或負載突變），可能引發(fā)擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯...

2025-06-03 標簽：PD GaN 快充芯片 582 0

同步整流芯片U7116W/U7110W產(chǎn)品介紹

同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U711XW內(nèi)置有...

2025-06-27 標簽：GaN 快充同步整流芯片 578 0

Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊

Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）功率級，輸出電壓高達100V。高性能...

2025-05-27 標簽：FET N溝道 GaN 571 0

?TMS320F28P55x系列微控制器技術(shù)文檔總結(jié)

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計，包括但不...

2025-09-29 標簽：微控制器電力電子 SiC 562 0

什么是 GaN 氮化鎵？2

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 562 0

ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS

ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS深/圳/銀/聯(lián)/寶芯片的腳位是芯片與外部電路進行連接的橋梁。通過引腳，芯片可以與電路板上的其他...

2025-05-29 標簽：GaN 電源芯片快充 552 0

基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-04-07 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 550 0

UCC27444 具有-5V輸入能力的 4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27444 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器，可有效驅(qū)動 MOSFET 和 GaN 功率開關(guān)。UCC27444-Q1 的典型峰值驅(qū)動強度為 4 ...

2025-05-15 標簽：MOSFET 功率開關(guān)GaN 549 0

氮化鎵電源IC U8723AHS產(chǎn)品介紹

恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應(yīng)用場景，如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...

2025-05-07 標簽：氮化鎵 GaN 電源芯片 540 0

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藍牙5

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藍牙5是藍牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達300米。
Qorvo

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5G手機

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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太赫茲是一種新的、有很多獨特優(yōu)點的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機遇可能引發(fā)科學技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團是韓國最大的企業(yè)集團，包括85個下屬公司及若干其他法人機構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機械、化學等眾多領(lǐng)域。
藍牙5.0

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藍牙5.0是由藍牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍牙技術(shù)標準，藍牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進行遠距離通信的唯一手段。由發(fā)信機、收信機、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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LoRa是一種線性調(diào)頻擴頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
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超外差接收機

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　　超外差接收機是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
藍牙m(xù)esh

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藍牙Mesh是基于ble廣播進行消息傳遞的一種藍牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實現(xiàn)藍牙設(shè)備與藍牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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