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氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表,具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優(yōu)異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器,能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵(以下簡稱“GaN”) 功率開關。只...
使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容
本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實現(xiàn)卓越性能的一個很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號塊不再“轉換”為數(shù)字信號塊。
氮化鎵技術是誰突破的技術 作為支撐“新基建”建設的關鍵核心器件,氮化鎵應用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車等領域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...
氮化鎵(GaN)是一種具有半導體特性的化合物,是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導體材料,與碳化硅(SiC)并稱為第三代半導體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體即寬帶隙半導體,具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能,滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求,智...
20世紀40年代后,傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機非金屬材料,與有機聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素燈...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,在上世紀90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導體研究的熱點,被稱為第三代半導體,它具有更...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料,在上世紀90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導體研究的熱點,被稱為第三代半導體,它具有更...
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關頻率、較低的導通電阻等優(yōu)點,能夠以極低的成本和較高的技術成熟度兼容硅基半導體集成電路工藝,在新一代高...
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