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INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)

2023-08-07 標(biāo)簽：GaN 功率晶體管 4k 0

什么是半導(dǎo)體材料？半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。

2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料 SiC 5.2k 0

羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢(shì)及路線圖

氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...

2023-08-02 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵 GaN 1.1k 0

高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標(biāo)簽：電源整流器德州儀器 3k 0

GaN開發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)

隨著能夠高頻驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體“GaN”的普及，開關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料，但根據(jù)驅(qū)動(dòng)頻率的不同，磁芯損耗（鐵耗）會(huì)有很大的...

2023-08-22 標(biāo)簽：變壓器半導(dǎo)體開關(guān)電源 2.1k 0

“后起之秀”氮化鎵未來(lái)幾大新的增長(zhǎng)點(diǎn)

來(lái)源：電子工程專輯比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中，將更有優(yōu)勢(shì)，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...

2023-07-24 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 864 0

羅姆推出650VGaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器

通常GaN Hemt驅(qū)動(dòng)存在2個(gè)難題：驅(qū)動(dòng)電壓低，容易誤啟動(dòng)；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅(qū)動(dòng)器，不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。

2023-07-23 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 GaN 外圍電路 1.3k 0

IGBTs給高功率帶來(lái)了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時(shí)日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起，IGBT成為了中壓和高壓（...

2023-07-20 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 1.3k 0

最有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料——金剛石基GaN問(wèn)世

美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導(dǎo)體行業(yè)將很快進(jìn)入第三波...

2023-07-17 標(biāo)簽：GaN 金剛石寬禁帶半導(dǎo)體 939 0

芯元基實(shí)現(xiàn)高效純紅光量子點(diǎn)芯片技術(shù)分析

芯元基的量子點(diǎn)MIP技術(shù)，在GaN晶圓的每個(gè)子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計(jì)外，也可以更好的解決獨(dú)立子像素間的光串?dāng)_問(wèn)...

2023-07-13 標(biāo)簽：Mini GaN 量子點(diǎn) 1.1k 0

雷達(dá)的常見分類方法及發(fā)展趨勢(shì)

GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：優(yōu)勢(shì)： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提...

2023-07-10 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 1.4k 0

利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2023-07-23 標(biāo)簽：mcu 數(shù)字電源 GaN 1k 0

C2000實(shí)時(shí)微控制器(MCU)應(yīng)對(duì)GaN開關(guān)挑戰(zhàn)

與碳化硅（SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)...

2023-07-24 標(biāo)簽：微控制器 mcu GaN 856 0

GaN基Micro LED領(lǐng)域南京大學(xué)取得新突破

GaN基Micro LED與其驅(qū)動(dòng)（如HEMT、MOSFET等）的同質(zhì)集成能充分發(fā)揮出GaN材料的優(yōu)勢(shì)，獲得更快開關(guān)速度、更高耐溫耐壓能力以及更高效率的...

2023-07-07 標(biāo)簽：OLED lcd GaN 1.1k 0

如何驗(yàn)證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵程序 GaN 1.2k 0

如何改進(jìn)GaN-on-Si技術(shù)的射頻性能

年復(fù)一年，越來(lái)越多的用戶通過(guò)無(wú)線方式傳輸越來(lái)越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢(shì)并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效，第五代移動(dòng)通信 (5G) 正在推出，業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來(lái)...

2023-07-06 標(biāo)簽：射頻接收器移動(dòng)通信 1.2k 0

針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！

切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

2023-07-04 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.4k 1

車規(guī)級(jí)功率器件可靠性測(cè)試難點(diǎn)及應(yīng)用場(chǎng)景

車規(guī)級(jí)功率器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢(shì)，GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評(píng)測(cè)方面:...

2023-07-04 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 1.2k 0

GaN的歐姆接觸實(shí)驗(yàn)

GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。金屬與半導(dǎo)體接觸可以形成肖特基接觸，...

2023-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體歐姆光電器件 5.6k 0

40W兩級(jí)高效無(wú)頻閃GaN方案OB3674P+OB8652V介紹

隨著辦公照明和商業(yè)照明市場(chǎng)日趨成熟，高PF、低諧波、低成本、無(wú)頻閃、高光效等需求已成為用戶的首選。為了滿足用戶高效節(jié)能、高可靠性和電源驅(qū)動(dòng)小型化的要求，...

2023-06-30 標(biāo)簽：PFC Boost GaN 5.8k 0

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藍(lán)牙5

藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
JN5168

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802.11ax

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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