氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析

氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電...

2023-11-06 標簽：MOSFET晶體管功率器件 1.4萬 0

半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標簽：SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.4萬 0

GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析

GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關(guān)速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設(shè)計電源轉(zhuǎn)換器時變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個缺點是電...

2021-03-22 標簽：功率轉(zhuǎn)換器測量電路GaN 1.3萬 0

氮化鎵充電器有什么優(yōu)點？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來看這個充電器如何?

倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接...

2021-08-31 標簽：充電器asic氮化鎵 1.3萬 0

探討條件GAN在圖像生成中的應(yīng)用

條件GANs已經(jīng)應(yīng)用與多種跟圖像有關(guān)的任務(wù)中了，但分辨率通常都不高，并且看起來很不真實。而在這篇論文中，英偉達和加州大學(xué)伯克利分校的研究人員共同提出了一...

2018-01-11 標簽：gan深度學(xué)習(xí) 1.2萬 0

GaN使充電器設(shè)計發(fā)生革命

氮化鎵（GaN）開關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了重大進展。 GaN晶體管的開關(guān)效率很高。 這允許開發(fā)轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器可以以比使用等效硅器件的電路更...

2020-10-23 標簽：充電器GaN 1.2萬 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...

2022-03-10 標簽：射頻氮化鎵GaN 1.2萬 0

GAN新手必讀：如何將將GAN應(yīng)用于NLP（論文筆記）

GAN 自從被提出以來，就廣受大家的關(guān)注，尤其是在計算機視覺領(lǐng)域引起了很大的反響?！吧疃冉庾x：GAN模型及其在2016年度的進展”［1］一文對過去一年G...

2017-11-22 標簽：gannlp 1.2萬 0

二極管的特性及損耗分析

本文用于記錄二極管特性及損耗分析。

2023-03-08 標簽：二極管SiC損耗 1.2萬 0

充電機直流母線上的紋波會影響電池壽命嗎？詳細數(shù)據(jù)分析

電池是一個不同SOC和頻率存在較大響應(yīng)差異的，紋波的迭代主要在頻率響應(yīng)上對電池產(chǎn)生影響。

2018-09-15 標簽：SOCGAN充電機 1.2萬 0

淺析氮化鎵技術(shù)原理及技術(shù)突破路線

　通過種種信息，我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的，從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...

2023-02-03 標簽：充電器氮化鎵GaN 1.2萬 0