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gan技術(shù)

在高密度GaN優(yōu)化型PFC轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復(fù)問題

歡迎再次來到我們的技術(shù)專欄——模擬芯視界。在上一期中，我們介紹了 EMI（特別是輻射發(fā)射）的來源，以及一系列旨在減少模擬信號(hào)鏈的 EMI 的技術(shù)，包括詳...

2024-07-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器德州儀器 GaN 1k 0

瑞薩電子氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管是當(dāng)今電力電子領(lǐng)域的明星，它正在提高功率轉(zhuǎn)換效率、電機(jī)控制和功率密度，有效滿足當(dāng)前的市場(chǎng)需求和趨勢(shì)。

2024-07-05 標(biāo)簽：逆變器 GaN 瑞薩電子 1.4k 0

納芯微GaN HEMT驅(qū)動(dòng)芯片NSD2017在激光雷達(dá)中的優(yōu)勢(shì)

自動(dòng)駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向，而具備強(qiáng)感知能力的激光雷達(dá)則是L2+及以上級(jí)別自動(dòng)駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)芯片NSD...

2024-07-01 標(biāo)簽：GaN 驅(qū)動(dòng)芯片激光雷達(dá) 1.6k 0

GaN智能功率模塊(IPM)實(shí)現(xiàn)高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)

氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級(jí)的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)。在本文中，我們將...

2024-06-17 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 智能功率模塊 2.1k 0

#參考設(shè)計(jì)#72 W基于PowiGaN的InnoSwitch 4-QR超緊湊型電源

72 W隔離反激式電源，適用于采用InnoSwitch 4-QR（INN 4275 C-H186）高頻準(zhǔn)諧振開關(guān)IC的電器，可實(shí)現(xiàn)最小Transform...

2024-06-11 標(biāo)簽：電源 GaN 隔離反激式電源 8.5k 0

GaN/金剛石功率器件界面的熱管理

? 氮化鎵(GaN)功率器件中千伏特?fù)舸╇妷旱难菔鹃L(zhǎng)期以來一直激勵(lì)著電力電子和其他應(yīng)用的優(yōu)化。這是由于電力系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率的潛力大大提高。GaN器件可分為...

2024-06-04 標(biāo)簽：電子器件功率器件 GaN 1.1k 0

24W原邊GAN電源芯片方案U8607簡(jiǎn)化電源BOM

24W原邊GAN電源芯片方案U8607是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。

2024-05-22 標(biāo)簽：充電器適配器 GaN 1.8k 0

外置OTP及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點(diǎn)有哪些

深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的U8733，是一款30W PD GAN帶OTP保護(hù)及主動(dòng)降功率功能的PD快充芯片，與之前推出的集成650V E-GaN快充芯片U...

2024-05-21 標(biāo)簽：OTP GaN VDD 1.9k 0

什么是LiDAR？LiDAR技術(shù)的新時(shí)代前景廣闊未來可期

什么是LiDAR？ ? LiDAR 是Light Detection And Ranging（激光探測(cè)與測(cè)距）的縮寫，是使用近紅外光、可見光或紫外光照射...

2024-05-16 標(biāo)簽：GaN Rohm 激光探測(cè)技術(shù) 1.7k 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件 GaN HEMT 1.8k 0

R24C2T25可簡(jiǎn)化SiC的選擇和評(píng)估過程

毫無疑問，寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費(fèi)類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。

2024-05-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管 GaN 831 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 2.6k 0

晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析

化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯，表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比，另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...

2024-04-24 標(biāo)簽：集成電路二極管晶體管 2k 0

適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南

作者：Kenton Williston 激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類...

2024-05-05 標(biāo)簽：FET 激光二極管測(cè)量 1.4k 0

如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器

作者：Bill Schweber 對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所有這些都為近來降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

2024-05-05 標(biāo)簽：變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 1.2k 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o反向恢復(fù)...

2024-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN HEMT 2.9k 0

使用先進(jìn)的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度

High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...

2024-04-18 標(biāo)簽：PFC GaN 功率密度 2.7k 0

DC/DC隔離電源助力綠色低碳新發(fā)展

在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中，對(duì)在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長(zhǎng)。而在電動(dòng)汽車 (EV) 領(lǐng)域，通過提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和加快電池充電速度，此類優(yōu)化...

2024-04-07 標(biāo)簽：MOSFET 電池充電隔離電源 1k 0

深度學(xué)習(xí)生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）全解析

GANs真正的能力來源于它們遵循的對(duì)抗訓(xùn)練模式。生成器的權(quán)重是基于判別器的損失所學(xué)習(xí)到的。因此，生成器被它生成的圖像所推動(dòng)著進(jìn)行訓(xùn)練，很難知道生成的圖像...

2024-03-29 標(biāo)簽：gpu GaN 生成器 6.1k 0

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應(yīng)用探索

傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過程中，如藍(lán)寶石就特別困難，會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。

2024-03-28 標(biāo)簽：功率器件石墨烯 GaN 1.7k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來無線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
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超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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