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      標(biāo)簽　>　gan

      文章：2001個(gè) 瀏覽：78979次 帖子：160個(gè)

      gan技術(shù)

      GaN功率開(kāi)關(guān)、組件及對(duì)EMI產(chǎn)生造成怎樣的影響

      為了評(píng)估這些GaN組件，Sandler安排我來(lái)測(cè)試一些評(píng)估板。一塊我選擇測(cè)試的是Efficient Power Conversion的半橋（Half-...

      2018-10-07 標(biāo)簽：emi功率開(kāi)關(guān)gan 4.7k 0

      寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

      寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

      對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。

      2023-06-12 標(biāo)簽：充電器SiC氮化鎵 4.7k 0

      探索GAN的景觀(guān)，并討論常見(jiàn)的陷阱和可重復(fù)性等問(wèn)題

      在訓(xùn)練點(diǎn)和生成的樣本之間的線(xiàn)性插值上評(píng)估梯度，作為最佳耦合的代理(proxy)。 還可以在數(shù)據(jù)流形周?chē)u(píng)估梯度損失，這促使鑒別器在該區(qū)域中成分段線(xiàn)性。梯...

      2018-07-16 標(biāo)簽：發(fā)生器GAN數(shù)據(jù)集 4.7k 0

      什么是“密碼散列”？如何正確使用PassGan？

      信息安全專(zhuān)家們一直在探索“生成式對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)”（GAN）如何提高我們的在線(xiàn)安全性，并取得了令人鼓舞的結(jié)果。近日，新澤西州史蒂文斯理工學(xué)院和紐約理工學(xué)院的研究...

      2018-07-01 標(biāo)簽：gan 4.7k 0

      利用視頻游戲語(yǔ)料庫(kù)，訓(xùn)練一個(gè)GAN模型為超級(jí)馬里奧兄弟生成游戲級(jí)別

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      在視頻游戲中，馬里奧游戲級(jí)別有不同的表征Level Corpus (VGLC) 和Mario AI 框架，這兩種都是基于tile的表征形式。具體地說(shuō)，以...

      2018-07-25 標(biāo)簽：GAN機(jī)器學(xué)習(xí)智能體 4.7k 0

      氮化鎵芯片的發(fā)光原理是什么

      氮化鎵芯片的發(fā)光原理是什么

      GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。

      2023-02-05 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 4.6k 0

      PI的PowiGaN技術(shù)的使用優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

      Power Integrations（PI）于2019年7月27日發(fā)布了結(jié)合PowiGaN技術(shù)的全新InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)...

      2020-01-02 標(biāo)簽：電源icgan 4.6k 0

      Qorvo會(huì)議就GaN技術(shù)進(jìn)行討論

      GaN已經(jīng)迅速發(fā)展成為促成一系列當(dāng)前和未來(lái)系統(tǒng)的一種技術(shù)，但這也對(duì)pre-5G和5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用帶來(lái)了較大影響。Qorvo的Gary Burgin將要討論G...

      2018-07-06 標(biāo)簽：ganqorvo 4.6k 0

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      還記得英偉達(dá)去年推出的StyleGAN嗎？全新的生成器架構(gòu)讓這個(gè)“新一代GAN”生成的人臉真實(shí)到可怕?，F(xiàn)在，StyleGAN已經(jīng)開(kāi)源，包括源代碼和官方T...

      2019-02-13 標(biāo)簽：GAN人臉識(shí)別 4.6k 0

      以人為主體目標(biāo)的圖像理解與編輯任務(wù)

      總而言之，GAN由最開(kāi)始的隨機(jī)噪聲生成圖片，逐漸在眾多領(lǐng)域得到發(fā)展。有研究者使用GAN研究半監(jiān)督學(xué)習(xí)問(wèn)題，也有研究者進(jìn)行圖像到圖像的生成探索，如給定輪廓...

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      氮化鎵技術(shù)是什么意思

      氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

      2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管GaN 4.5k 0

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      在現(xiàn)代生活中，氮化鎵（GaN）基LED應(yīng)用廣泛，其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響?？蒲腥藛T通過(guò)HVPE與MOCVD結(jié)合技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底上制備了不同緩沖...

      2025-08-11 標(biāo)簽：led氮化鎵GaN 4.5k 0

      基于A(yíng)gilent ADS仿真軟件的GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)

      新一代半導(dǎo)體功率器件主要有SiC場(chǎng)效應(yīng)晶體管和GaN高電子遷移率晶體管。有別于第一代的Si雙極型功率晶體管和第二代GaAs場(chǎng)效晶體管，新一代SiC和Ga...

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      2022-07-12 標(biāo)簽：晶體蝕刻GaN 4.4k 0

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      隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)車(chē)、家用電器等產(chǎn)品更新?lián)Q代，產(chǎn)品的性能也越來(lái)越受重視，尤其是在功率設(shè)計(jì)方面。如何提升電源轉(zhuǎn)換能效，提高功率密度水平，延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)...

      2023-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 4.4k 0

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      GaN晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有較小的尺寸，非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用EPC的Ga...

      2021-03-23 標(biāo)簽：EPCGaNGaN晶體管 4.3k 0

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      2018-09-07 標(biāo)簽：GAN機(jī)器學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)集 4.3k 0

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        無(wú)線(xiàn)設(shè)備
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        無(wú)線(xiàn)設(shè)備一般指無(wú)線(xiàn)電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線(xiàn)電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線(xiàn)、饋線(xiàn)和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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        　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
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        藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
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        　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷(xiāo)售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱(chēng)。英文全稱(chēng)為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。
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