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gan技術(shù)

今天，在功率電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應(yīng)用場(chǎng)景中的主角。

2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 GaN 1k 0

隨著云端大規(guī)模人工智能（AI）的迅速發(fā)展與部署，包括OpenAI開發(fā)的ChatGPT在內(nèi)，越來越多高性能的、為特定目標(biāo)設(shè)計(jì)的AI處理器正被集成至數(shù)據(jù)中心...

2025-10-30 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心 AI GaN 1.5k 0

STMicroelectronics EVLMG4-500WIBCK評(píng)估板為具有基于GaN（氮化鎵）的同步整流反向降壓拓?fù)涞目烧{(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器電路提供參...

激光雷達(dá)（Lidar）是一種用于精確測(cè)距的激光探測(cè)技術(shù)。柵極驅(qū)動(dòng)器與GaN器件在最大化激光器發(fā)射能力上起到重要作用，為激光雷達(dá)帶來更高的分辨率。NSD2...

2025-10-27 標(biāo)簽：pcb GaN 激光雷達(dá) 2.6k 0

STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN4L，其可快速創(chuàng)建拓?fù)?，無需完整的PCB設(shè)...

2025-10-22 標(biāo)簽：電源模塊 GaN LLC 343 0

STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN1L，其可快速創(chuàng)建拓?fù)洌瑹o需完整的PCB設(shè)...

2025-10-22 標(biāo)簽：電源模塊 GaN 半橋電源 140 0

STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道增強(qiáng)模式GaN的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)...

2025-10-16 標(biāo)簽：半橋 N溝道 GaN 385 0

近年來，工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率...

2025-10-15 標(biāo)簽：ADI 仿真 GaN 7.3k 0

STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN，高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...

2025-10-15 標(biāo)簽：半橋 N溝道 GaN 189 0

STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN，高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...

2025-10-15 標(biāo)簽：半橋 N溝道 GaN 199 0

白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì)，展示了其經(jīng)過實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的可靠性以及滿足800...

2025-10-14 標(biāo)簽：PI 數(shù)據(jù)中心 SiC 458 0

GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用...

2025-10-14 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 GaN 245 0