標(biāo)簽 > finfet存儲(chǔ)器
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與平面工藝相比,F(xiàn)inFET的復(fù)雜性一般會(huì)導(dǎo)致更加昂貴的制造工藝,F(xiàn)inFET降低了工作電壓,提高了晶體管效率,對(duì)靜態(tài)功耗(線性)和動(dòng)態(tài)功耗(二次方)都有積極作用??晒?jié)省高達(dá)50%的功耗。性能也更高——在0.7V上,性能(吞吐量)比平面工藝高37%。
具有旁路模式的 40 MHz 至 1 G 中帶 1805 至 2170 MHz 低 850 至 920 MHz、19 dBm 700 至 800 MHz、19 dBm 2110 至 2170 MHz 線性功率 851 至 894 MHz 線性功率放大 758 至 803 MHz 線性功率放大 1930 至 1995 MHz 線性功率 1805 至 1880 MHz 高效 4 800 至 900 MHz 高效 4 W 5 GHz、23dBm 功率放大器,帶功 高功率 ( 19 dBm) 802.11
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