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創(chuàng)飛芯40nm eNT嵌入式eFlash IP通過(guò)可靠性驗(yàn)證
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過(guò)可靠性驗(yàn)證!這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)...
 
												AS32X601驅(qū)動(dòng)系列教程 SMU_系統(tǒng)時(shí)鐘詳解
在現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)中,時(shí)鐘與復(fù)位管理是確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。我們的SMU(系統(tǒng)管理單元)模塊專(zhuān)注于此核心任務(wù),通過(guò)精準(zhǔn)的時(shí)鐘配置和復(fù)位控制,為整個(gè)系統(tǒng)提...
 
												導(dǎo)遠(yuǎn)科技在北京車(chē)展展示其自主研發(fā)的新一代MEMS慣性導(dǎo)航芯片
4月25日,導(dǎo)遠(yuǎn)科技在闊別四年的北京車(chē)展展示其自主研發(fā)的新一代MEMS慣性導(dǎo)航芯片,并亮相多款定位感知傳感器產(chǎn)品。
 
												后摩智能首款RRAM大容量存儲(chǔ)芯片完成測(cè)試驗(yàn)證
近期,后摩智能完成首款可商用的RRAM測(cè)試及應(yīng)用場(chǎng)景開(kāi)發(fā),探測(cè)及證實(shí)了現(xiàn)有工業(yè)級(jí)的RRAM的技術(shù)邊界。后續(xù)將與車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景結(jié)合,希望與伙伴共同打造新興...
2023-08-17 標(biāo)簽:eFlash存儲(chǔ)芯片嵌入式存儲(chǔ)器 1.4k 0
成都銳成芯微科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):“銳成芯微”“Actt”)宣布,公司推出基于BCD工藝平臺(tái)的LogicFlash Pro eFlash IP產(chǎn)品,其...
銳成芯微于ICCAD 2022推出Wi-Fi6射頻IP和新型eFlash IP
12月26-27日,中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2022年會(huì)暨廈門(mén)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇(ICCAD 2022)在廈門(mén)國(guó)際會(huì)展中心成功舉辦,廈門(mén)市科技局局長(zhǎng)...
智原與英飛凌聯(lián)手推出聯(lián)電40uLP SONOS eFlash平臺(tái)
ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷(xiāo)售廠(chǎng)商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布與英飛凌合作推出S...
兆易創(chuàng)新基于Cortex-M33內(nèi)核的首款車(chē)規(guī)級(jí)MCU GD32A503微控制器概述
日前,業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice 發(fā)布首款基于Cortex-M33內(nèi)核的GD32A503系列車(chē)規(guī)級(jí)微控制器,正式進(jìn)入車(chē)規(guī)級(jí)M...
華潤(rùn)微攜手銳成芯微推出創(chuàng)新型eFlash解決方案
華潤(rùn)微0.153μm 5V EN CMOS工藝平臺(tái)由上一代明星工藝平臺(tái)(0.18μm EN CMOS工藝平臺(tái))優(yōu)化而來(lái)。優(yōu)化后的工藝成本大大縮減,在未增...
2020-05-29 標(biāo)簽:CMOSeFlash華潤(rùn)微電子 5k 0
28nm節(jié)點(diǎn)可能是eFlash最后一個(gè)經(jīng)濟(jì)高效的節(jié)點(diǎn) 格芯欲用22FDXeMRAM技術(shù)取代
格芯的戰(zhàn)略是為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)中的客戶(hù)提供高度差異化、高附加值的解決方案,而踐行這一承諾的實(shí)際成果就是我們的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM...
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