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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù)）

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紫光國芯亮相2025中國國際消費電子展覽會

2025年9月19日，2025中國國際消費電子展覽會（簡稱“電博會”）在青島國際會展中心開幕，紫光國芯與新紫光集團(tuán)旗下來自芯片、ICT等版塊的十余家重要...

2025-09-20 標(biāo)簽：DRAM 消費電子紫光國芯 2.3k 0

概倫電子亮相IDAS 2025設(shè)計自動化產(chǎn)業(yè)峰會

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2025-09-18 標(biāo)簽：DRAM eda 概倫電子 2.4k 0

華邦電子榮獲2025年度硬核智能芯片獎

2025 年 9 月 11 日，由芯師爺主辦的第七屆硬核芯生態(tài)大會在深圳國際會展中心舉行。本屆峰會匯聚了半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)軍者、電子制造企業(yè)高管、項目負(fù)...

2025-09-12 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存華邦電子 1.5k 0

類腦視覺芯片里程碑突破：復(fù)旦團(tuán)隊首創(chuàng)二維半導(dǎo)體DRAM仿生神經(jīng)元

在類腦視覺芯片領(lǐng)域，復(fù)旦大學(xué)的研究團(tuán)隊取得了令人矚目的突破，他們聯(lián)合研發(fā)出了基于二維半導(dǎo)體DRAM的仿生神經(jīng)元。這一成果為類腦計算與視覺處理的融合發(fā)展帶...

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性能優(yōu)于HBM，超高帶寬內(nèi)存 (X-HBM) 架構(gòu)來了！

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實錘！美光中國區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整！官方停止移動NAND開發(fā)

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2025-08-13 標(biāo)簽：閃存 DRAM 美光 2.7k 0

美光科技第三屆鏈博會圓滿落幕

此前，2025年7月16至20日，作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商，美光再度以“深耕存儲領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”為主題亮相第三屆中國國際供應(yīng)鏈促進(jìn)博...

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存儲技術(shù)全解析

在計算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)中，各種存儲技術(shù)扮演著不同的角色，它們的性能特點和應(yīng)用場景各不相同。很多人對DRAM、SRAM、HBM、ROM、NOR Flash、...

2025-07-24 標(biāo)簽：FPGA DRAM 存儲技術(shù) 1.8k 0

簡單認(rèn)識高帶寬存儲器

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清華大學(xué)TOP EE+項目參訪美光上海

此前，2025年6月4日至6日，清華大學(xué)TOP EE+ 項目于美光上海的參訪活動圓滿舉行。為期三天的活動匯聚了來自清華大學(xué)電子工程系的優(yōu)秀留學(xué)生與美光的...

2025-07-07 標(biāo)簽：DRAM 存儲美光 1.1k 0

華邦電子客制化內(nèi)存解決方案助力可持續(xù)發(fā)展

隨著全球?qū)Ω悄?、更快速電子系統(tǒng)需求的不斷增長，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨雙重挑戰(zhàn)：在提升性能的同時降低環(huán)境影響。華邦電子正面臨著這一挑戰(zhàn)，將#可持續(xù)發(fā)展理念融入...

2025-07-04 標(biāo)簽：閃存 DRAM 內(nèi)存 1.1k 0

SK海力士在微細(xì)工藝技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實力

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2025-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM SK海力士 1.2k 0

利基DRAM市場趨勢

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不同于HBM，這種創(chuàng)新的堆疊式DRAM，功耗有望降低50%

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存儲DRAM：擴(kuò)張與停產(chǎn)雙重奏

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）高帶寬存儲HBM因數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練而大熱，HBM三強(qiáng)不同程度地受益于這一存儲產(chǎn)品的營收增長，甚至就此改變了DRAM市場的...

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紫光國芯亮相2025上海國際汽車工業(yè)展覽會

近日，紫光國芯攜全系列車規(guī)DRAM存儲產(chǎn)品亮相2025上海國際汽車工業(yè)展覽會中國芯展區(qū)，全面展示了公司車規(guī)級芯片的系統(tǒng)應(yīng)用和創(chuàng)新成果。

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2025-02-28 標(biāo)簽：DRAM 4.5k 0

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