DDR5內(nèi)存標準正在制定：比DDR4快兩倍！

內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。

2017-04-01 標簽：內(nèi)存DDR4DDR5 2.5k 0

DDR4或年內(nèi)停產(chǎn)，三大廠商引發(fā)內(nèi)存市場變局

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)...

2025-02-21 標簽：DDR4 2.5k 0

芝奇發(fā)布高速DDR4內(nèi)存套裝 專為銳龍5000系列

銳龍5000系列正式登場的同時，芝奇就發(fā)布了多款專為其進行定制優(yōu)化的高速DDR4內(nèi)存套裝，隸屬于知名的Trident Z Neo焰光戟系列。 新內(nèi)存的頻...

2020-11-06 標簽：內(nèi)存DDR4銳龍 2.5k 0

Cadence宣布推出基于臺積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY I...

2014-05-21 標簽：CadenceDDR4FinFET 2.4k 0

國產(chǎn)內(nèi)存DDR4已通過統(tǒng)信認證

嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認證。

2021-01-28 標簽：內(nèi)存操作系統(tǒng)DDR4 2.4k 0

宜鼎推出最新的2666高速寬溫DDR4 VLP RDIMM 針對服務器存儲高度優(yōu)化

2019年1月8日，正式推出業(yè)界首支2666寬溫超矮版（VLP） RDIMM，隨著2019年IT基礎(chǔ)設(shè)施擴大投資，接連帶動AI新興應用的數(shù)據(jù)存儲與運算需...

2019-01-10 標簽：存儲DDR4宜鼎國際 2.4k 0

采用長鑫DRAM，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條發(fā)售

近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。

2020-07-22 標簽：DRAMDDR4 2.3k 0

2019年度PC內(nèi)存排行榜 8GB依然是PC玩家首選

其中，芝奇DDR4 4266MHz 8GB成為年度最強內(nèi)存，以11008.9的得分位居PC內(nèi)存性能榜第一。該內(nèi)存基于三星B-dieIC顆粒，支持Inte...

2020-01-08 標簽：內(nèi)存DDR4 2.3k 0

南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒，四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)

據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量，...

2024-05-30 標簽：DRAMDDR4南亞科技 2.3k 0

JEDEC即將完成DDR4內(nèi)存標準關(guān)鍵屬性

JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，全球微電子產(chǎn)業(yè)標準領(lǐng)導制定機構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標準的關(guān)鍵屬性。 預計將于2012年中期發(fā)...

2011-08-24 標簽：DDR4JEDEC內(nèi)存標準 2.3k 0

NVDIMM-P非易失內(nèi)存標準公布：斷電不丟數(shù)據(jù)、兼容DDR4

我們知道，傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持數(shù)據(jù)，一旦斷電就都沒了。 Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存，做到了非易...

2021-02-19 標簽：數(shù)據(jù)內(nèi)存DDR4 2.3k 0

預計下一代DDR4內(nèi)存將在2015年普及

據(jù)VR報道，英特爾將推出支持DDR4的高端CPU產(chǎn)品，預計到2015年我們才會在桌面系統(tǒng)看到下一代的DDR4產(chǎn)品。Haswell四核系統(tǒng)目前已經(jīng)可以達到...

2012-04-05 標簽：ddr3intelddr4 2.2k 0

美光量產(chǎn)并出貨1αnm DRAM內(nèi)存芯片 功耗可降低15％

美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU...

2021-01-27 標簽：DRAM美光DDR4 2.2k 0

芝奇TridentZ DDR4－4700內(nèi)存：4700MHz，CL19延遲

自從Haswell－E、Skylake支持DDR4內(nèi)存標準以來，DDR4這幾年已經(jīng)變成了市場主流，不過主流的DDR4內(nèi)存頻率一直提升補丁，也就從DDR...

2018-06-29 標簽：內(nèi)存DDR4 2.2k 0

Xilinx推出業(yè)界首款高性能DDR4內(nèi)存解決方案

All Programmable技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 （NASDAQ： XLNX）今天宣布推出業(yè)界首款面向All Programmable...

2014-03-11 標簽：賽靈思XilinxDDR4 2.2k 0

戴爾侵權(quán)GoodmanDDR4專利 遭起訴

近日，戴爾公司、戴爾技術(shù)公司和戴爾技術(shù)有限責任公司（統(tǒng)稱“戴爾”）在美國德克薩斯州西區(qū)地方法院被 James B. Goodman 起訴。

2020-08-08 標簽：存儲器戴爾DDR4 2.1k 0

存儲芯片價格過去2個月內(nèi)上漲約六至七成，2024年一季度是觀察重點

存儲芯片漲價風潮進一步蔓延，這一次NOR Flash行業(yè)即將迎來拐點。摩根士丹利最新報告指出，2024年全球NOR Flash市場將從供過于求轉(zhuǎn)向供不應...

2024-01-04 標簽：DDR4存儲芯片Nand flash 2.1k 0