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鍵合技術

Wire Bond引線鍵合不良原因有哪些

金線與金線短路客戶: Atheros (CABGA) 不良: 金線與金線引腳短路失效模式: 測試失效 (短路)

2023-04-29 標簽：引腳鍵合 2.9k 0

混合鍵合的發(fā)展趨勢和挑戰(zhàn)

在本文中，我們將討論混合鍵合的趨勢、混合鍵合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。

2023-07-15 標簽：芯片半導體晶圓 2.9k 0

金絲鍵合的主要過程和關鍵參數(shù)

金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術來達成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長處。通常情況下，熱壓鍵合所需溫度在300℃以上，而在引入超聲作用后，熱超...

2025-03-12 標簽：工藝參數(shù)鍵合 2.9k 0

鋁帶鍵合點根部損傷研究

潘明東朱悅楊陽徐一飛陳益新（長電科技宿遷股份公司）摘要：鋁帶鍵合作為粗鋁線鍵合的延伸和發(fā)展，鍵合焊點根部損傷影響了該工藝的發(fā)展和推廣，該文...

2024-11-01 標簽：封裝鍵合 2.8k 0

先進封裝之芯片熱壓鍵合簡介

回顧過去五六十年，先進邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來提升。提升的主要動力來自三極管數(shù)量的增加來實現(xiàn)，而單個三極管性能的提高對維護摩爾定律只是起到輔佐的...

2023-04-19 標簽：芯片三極管晶圓 2.6k 0

揭秘Au-Sn共晶鍵合：MEMS封裝的高效解決方案

隨著微型機電系統(tǒng)（MEMS）技術的快速發(fā)展，其在汽車、醫(yī)療、通信、消費電子等領域的應用日益廣泛。MEMS器件由于其獨特的結(jié)構和功能特性，對封裝技術提出了...

2025-01-23 標簽：鍵合微型機電 MEMS封裝 2.4k 0

晶圓到晶圓混合鍵合的前景和工藝流程

3D集成是實現(xiàn)多芯片異構集成解決方案的關鍵技術，是業(yè)界對系統(tǒng)級更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回應。3D 堆疊正在電子系統(tǒng)層次結(jié)構的不同級別（從封裝...

2024-02-22 標簽：芯片晶圓鍵合 2.3k 0

芯片封裝的四種鍵合技術

芯片封裝是半導體制造的關鍵環(huán)節(jié)，承擔著為芯片提供物理保護、電氣互連和散熱的功能，這其中的鍵合技術（Bonding）就是將晶圓芯片固定于基板上。

2025-04-10 標簽：半導體晶圓芯片封裝 2.2k 0

半導體固晶工藝深度解析

隨著科技的日新月異，半導體技術已深深植根于我們的日常生活，無論是智能手機、計算機，還是各式各樣的智能裝置，半導體芯片均扮演著核心組件的角色，其性能表現(xiàn)與...

2025-01-15 標簽：半導體工藝鍵合 2.2k 0

晶圓鍵合技術的類型有哪些

晶圓鍵合技術是一種先進的半導體制造工藝，它通過將兩塊或多塊晶圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合，形成一個整體結(jié)構。這種技術廣泛應用于微電子、光電子、MEMS（...

2024-10-21 標簽：半導體晶圓鍵合 2.1k 0

鍵合銅絲的研究及應用現(xiàn)狀

共讀好書周巖劉勁松王松偉彭庶瑤彭曉飛 (沈陽理工大學中國科學院金屬研究所師昌緒先進材料創(chuàng)新中心江西藍微電子科技有限公司) 摘要：目前，鍵合...

2024-02-22 標簽：芯片鍵合 2.1k 0

一文詳解共晶鍵合技術

鍵合技術主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等。而帶有中間層的鍵合，所需的溫度更低，壓力也更小。帶...

2025-03-04 標簽：mems 工藝焊接 2k 0

倒裝芯片鍵合技術的特點和實現(xiàn)過程

本文介紹了倒裝芯片鍵合技術的特點和實現(xiàn)過程以及詳細工藝等。

2025-04-22 標簽：pcb 工藝鍵合 1.9k 0

功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設計方案

為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參...

2024-01-03 標簽：SiC 功率模塊鍵合 1.9k 0

銅線鍵合IMC生長分析

銅引線鍵合由于在價格、電導率和熱導率等方面的優(yōu)勢有望取代傳統(tǒng)的金引線鍵合, 然而 Cu/Al 引線鍵合界面的金屬間化合物 (intermetallic ...

2025-03-01 標簽：芯片封裝顯微鏡鍵合 1.9k 0

淺析銅線鍵合鋁墊裂紋的預防和改善

歡迎了解孟興梅（天水華天科技股份有限公司）摘要：本文簡述了鋁墊裂紋潛在的危害。分析了鋁墊裂紋產(chǎn)生的原因，研究了銅線鍵合過程中由于銅絲的固有特性對...

2023-12-27 標簽：芯片集成電路鍵合 1.9k 0

可以達到或超過金線鍵合性能和焊接效率的銅線

金價不斷上漲增加了半導體制造業(yè)的成本壓力，因此業(yè)界一直在改善銅線的性能上努力，希望最終能夠用成本更低但鍵合性能相當甚至更好的銅線來代替金線鍵合。

2023-03-02 標簽：半導體封裝焊接 1.9k 0

鋁硅絲超聲鍵合引線失效分析與解決

在微電子封裝中，引線鍵合是實現(xiàn)封裝體內(nèi)部芯片與芯片及芯片與外部管腳間電氣連接、確保信號輸入輸出的重要方式，鍵合的質(zhì)量直接關系到微電子器件的質(zhì)量和壽命。針...

2023-11-02 標簽：芯片封裝微電子 1.8k 0

晶片清洗和熱處理對硅片直接鍵合的影響

本實驗通過這兩種清洗方法進行標識分為四個實驗組，進行了清洗實驗及室溫接合，以上工藝除熱處理工藝外，通過最小化工序內(nèi)部時間間隔，抑制清洗的基板表面暴露在...

2022-05-16 標簽：晶片硅片鍵合 1.6k 0

基于正交試驗方法對鍵合金絲質(zhì)量影響研究

金絲鍵合技術是微電子領域的封裝技術，一般采用金線，利用熱、壓、超聲共同作用，完成微電子器件中電路內(nèi)部連接，即芯片和電路或者引線框架之間的互連。本文在深入...

2023-11-19 標簽：芯片集成電路鍵合 1.6k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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數(shù)字隔離技術常用于工業(yè)網(wǎng)絡環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設備中，尤其是一些應用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運動處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時間軸之差的問題，減少了大量的封裝空間。
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Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風標電子技術有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機及外圍器件。
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