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標簽 > 透射電鏡
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在人工智能(AI)技術(shù)日新月異的時代,其強大的發(fā)展勢能對PCB板(印制電路板)的質(zhì)量提出了更高的要求。作為AI服務(wù)器硬件架構(gòu)的關(guān)鍵組成部分,PCB板的性...
透射電子顯微鏡(TEM)是研究材料微觀結(jié)構(gòu)的重要工具,其樣品制備是關(guān)鍵步驟,本節(jié)旨在解讀TEM樣品的制備方法。 ? 透射電子顯微鏡(TEM)是研究材料微...
透射電鏡TEM測試解剖芯片結(jié)構(gòu):深入微觀世界的技術(shù)探索
在芯片制造領(lǐng)域,透射電鏡TEM技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。通過TEM測試,科學家可以觀察芯片中晶體結(jié)構(gòu)的變化,分析晶體缺陷,研究材料界面結(jié)構(gòu),從而深入了解...
2024-02-27 標簽:芯片測試芯片結(jié)構(gòu) 2.3k 0
在鉆孔過程中鉆頭會發(fā)生磨損,評估和量化磨損的狀況至關(guān)重要,因為鉆頭的狀態(tài)會直接影響加工孔的質(zhì)量。如何簡單、快速的獲取鉆頭的磨損狀態(tài)?如何精準的定量分析鉆...
研究發(fā)現(xiàn)對鈾原子在GB的分布是由鈾-氧相互作用造成的。CRG和Yakub勢的這種優(yōu)勢與之前的研究一致,這兩個勢給出了關(guān)于UO2中GBs能量的最佳結(jié)果。雖...
隨著材料科技的發(fā)展,需要更細致地觀察研究材料的微觀物理化學結(jié)構(gòu)特征,透射電子顯微分析(TEM)作為一種具有超高分辨率、超高放大倍數(shù)的顯微分析方法,是觀察...
電子束穿透固體樣品的能力主要取決于加速電壓,樣品厚度以及物質(zhì)的原子序數(shù)。一般來說,加速電壓愈高,原子序數(shù)愈低,電子束可穿透樣品厚度就愈大。因此,通常情況...
隨著材料科技的發(fā)展,需要更細致地觀察研究材料的微觀物理化學結(jié)構(gòu)特征,透射電子顯微分析(TEM)作為一種具有超高分辨率、超高放大倍數(shù)的顯微分析方法,是觀察...
原位電鏡技術(shù)實現(xiàn)極性拓撲相變的原子尺度表征與調(diào)控
在外電場下(圖2),通過疇壁的移動實現(xiàn)了通量閉合核的橫向移動,極化方向與外電場一致的c疇逐漸變大,而極化方向與外電場方向相反的c疇逐漸減小至消失,伴隨著...
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