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標(biāo)簽 > 芯片制造
《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書,作者是(美國(guó))贊特。本書介紹了半導(dǎo)體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的性質(zhì)等方面闡述。
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三維集成電路制造中,對(duì)準(zhǔn)技術(shù)是確保多層芯片鍵合精度、實(shí)現(xiàn)高密度TSV與金屬凸點(diǎn)正確互聯(lián)的核心技術(shù),直接影響芯片性能與集成密度,其高精度可避免互連失效或錯(cuò)...
在芯片制造過程中,測(cè)試是非常重要的一環(huán),它確保了芯片的性能和質(zhì)量。芯片測(cè)試涉及到許多專業(yè)術(shù)語這其中,CP(Chip Probing),F(xiàn)T(Final ...
對(duì)于電子設(shè)備來說,它藏在內(nèi)部,又非常重要,相當(dāng)于汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)、人的心臟,所以叫“芯”。從形態(tài)來看,它是一片一片的,所以叫“片”。合起來,就是“芯片”。
2024-01-15 標(biāo)簽:集成電路芯片制造半導(dǎo)體芯片 2.6k 0
總體而言,從現(xiàn)在到2023年,汽車應(yīng)用半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將出現(xiàn)7%的復(fù)合年增長(zhǎng)率,市場(chǎng)價(jià)值將從350億美元增加到540億美元。在ADAS/自動(dòng)駕駛/車載信息...
2018-06-05 標(biāo)簽:芯片制造 2.6k 0
光源掩模協(xié)同優(yōu)化的原理與應(yīng)用
由于SMO優(yōu)化的結(jié)果是要應(yīng)用到整塊芯片上去的,而對(duì)所有的圖形進(jìn)行SMO是極為耗時(shí)的,因此,我們需要使用關(guān)鍵圖形篩選技術(shù)提前將重復(fù)或者冗余的圖形剔除,以保...
ASML 稱之為超數(shù)值孔徑的研發(fā)正在進(jìn)行中,因此更具體的光學(xué)器件,尚不清楚它是否會(huì)起作用。距生產(chǎn)還有 10 年的時(shí)間,但這正是研發(fā)已經(jīng)在進(jìn)行的地方,如果...
芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試,其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試,前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性,如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。
本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。 刻蝕是芯片制造中一個(gè)至關(guān)重要的步驟,用于在硅片上形成微小的電路結(jié)構(gòu)。它通過化學(xué)或物理方法去除材料層,以達(dá)到特定的設(shè)計(jì)要求...
一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十(百)億個(gè)晶體管,這些晶體管通過細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程極其復(fù)雜,需要經(jīng)歷數(shù)百個(gè)精確控制的步驟。
Cadence產(chǎn)品管理總監(jiān)Melika Roshandell表示:“盡管基本漏電較之前的技術(shù)有所降低,但總體功耗卻更高。所以,熱量問題將更加嚴(yán)重,因?yàn)槟?..
芯片制造中高精度膜厚測(cè)量與校準(zhǔn):基于紅外干涉技術(shù)的新方法
在先進(jìn)光學(xué)、微電子和材料科學(xué)等領(lǐng)域,透明薄膜作為關(guān)鍵工業(yè)組件,其亞微米級(jí)厚度的快速穩(wěn)定測(cè)量至關(guān)重要。芯片制造中,薄膜襯底的厚度直接影響芯片的性能、可靠性...
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