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標(biāo)簽 > 續(xù)流二極管
續(xù)流二極管(flyback diode),有時也稱為飛輪二極管或是snubber二極管,是一種配合電感性負載使用的二極管,當(dāng)電感性負載的電流有突然的變化或減少時,電感二端會產(chǎn)生突變電壓,可能會破壞其他元件。配合續(xù)流二極管時,其電流可以較平緩地變化,避免突波電壓的發(fā)生。
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AP8505/AP8507基于高壓同步整流架構(gòu),集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。
2024-01-09 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源續(xù)流二極管 5.5k 0
續(xù)流二極管作為電子電路中重要的元件之一,其故障可能導(dǎo)致整個電路的性能下降甚至完全失效。本文將深入探討續(xù)流二極管故障的原因,并詳細分析這些原因背后的機理,...
dcdc開關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別
高開關(guān)頻率通??梢蕴岣逥C-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因為高頻率開關(guān)可以減小開關(guān)器件的尺寸,降低開關(guān)過程中的能量損耗,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。
探索汽車?yán)鋯?V,5W至15W電源的預(yù)升壓的實現(xiàn)方式
本文以典型的5V,5W至15W電源為例,討論預(yù)升壓如何完美地解決該問題。
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進行充電與放電。假設(shè)IGB...
IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻IGBT續(xù)流二極管 4.5k 0
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機理及改進結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個顯著特點于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
隨著信息化時代的發(fā)展,生活中常見的電子產(chǎn)品,通常用到MCU、DSP、FPGA來作為產(chǎn)品設(shè)計的控制系統(tǒng)
2023-10-24 標(biāo)簽:濾波電容BUCK開關(guān)穩(wěn)壓器 4.4k 0
基于Simulink永磁同步電機調(diào)速系統(tǒng)的仿真
永磁同步電動機(PermanentMagnets Synchronous Motor,PMSM),轉(zhuǎn)子采用永磁材料,定子為短距分布式繞組,采用三相正弦波...
2023-06-28 標(biāo)簽:永磁同步電機線性調(diào)節(jié)器續(xù)流二極管 4.4k 0
降壓轉(zhuǎn)換器是一個簡單的電路。圖 1 是降壓轉(zhuǎn)換器的簡化原理圖。MOSFET 高壓側(cè) MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷??刂?IC(未圖示)使用閉合反饋環(huán)路來控制...
續(xù)流二極管與IC的開關(guān)引腳及GND引腳距離較遠,這會導(dǎo)致布線上的寄生電感增加從而導(dǎo)致噪音毛刺變大。為了改善布局不當(dāng)產(chǎn)生的毛刺噪聲,有時可能會追加RC緩沖...
2023-07-25 標(biāo)簽:pcb開關(guān)電源DC-DC 3.4k 0
通態(tài)損耗Ps。大體來講,通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即:Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 3.3k 0
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