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標(biāo)簽 > 紅外探測(cè)器
紅外探測(cè)器(Infrared Detector)是將入射的紅外輻射信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出的器件。紅外輻射是波長(zhǎng)介于可見光與微波之間的電磁波,人眼察覺不到。要察覺這種輻射的存在并測(cè)量其強(qiáng)弱,必須把它轉(zhuǎn)變成可以察覺和測(cè)量的其他物理量。
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上海技物所在超大面陣紅外探測(cè)器冷平臺(tái)支撐結(jié)構(gòu)方面取得進(jìn)展
該文章根據(jù)超大規(guī)模的面陣紅外探測(cè)器的冷平臺(tái)力學(xué)和熱學(xué)性能要求,提出了一種對(duì)稱式八桿的冷平臺(tái)支撐結(jié)構(gòu),并對(duì)支撐結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,利用氧化鋯陶瓷的低熱導(dǎo)率、...
昆明物理所在HOT器件用旋轉(zhuǎn)式斯特林制冷機(jī)方面的研究進(jìn)展
HOT器件用小型低溫斯特林制冷機(jī)的設(shè)計(jì)遵循SWaP3準(zhǔn)則,SWaP3是1999年由唐納德·里高等人提出的高性能、低成本的思想基礎(chǔ)上發(fā)展而來,即更小的尺寸...
碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由碳和硅組成,具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 標(biāo)簽:led照明半導(dǎo)體材料紅外探測(cè)器 4k 0
非制冷紅外探測(cè)器陶瓷封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化及可靠性分析
該文章針對(duì)薄膜型吸氣劑陶瓷封裝的開發(fā),以某款量產(chǎn)探測(cè)器陶瓷封裝結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),提出一種非制冷紅外探測(cè)器陶瓷封裝優(yōu)化結(jié)構(gòu),基于ANSYS Workbench有...
2023-02-22 標(biāo)簽:封裝結(jié)構(gòu)紅外探測(cè)器 3k 0
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,昆明物理研究所、云南大學(xué)和云南省先進(jìn)光電材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)在《紅外技術(shù)》期刊上發(fā)表了以“硅基BIB紅外探測(cè)器研究...
InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的表面處理研究
InAs/GaSb Ⅱ類超晶格近年來得到迅速的發(fā)展,是最有前景的紅外光電探測(cè)材料之一。隨著探測(cè)器像元中心距不斷減小,對(duì)于臺(tái)面結(jié)器件,其側(cè)壁漏電將占據(jù)主導(dǎo)...
勢(shì)壘型InAs/InAsSb T2SLs紅外探測(cè)器研究進(jìn)展
紅外探測(cè)技術(shù)在衛(wèi)星偵察、軍事制導(dǎo)、天文觀測(cè)、醫(yī)療檢測(cè)、現(xiàn)代通信等重要領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
綜述:銦砷銻(InAsSb)紅外探測(cè)器的研究進(jìn)展
InAs1-xSbx屬于III-V族化合物半導(dǎo)體合金材料,隨Sb組分含量的不同,室溫下可覆蓋3~12μm波長(zhǎng),并且InAsSb材料具有載流子壽命長(zhǎng)、吸收...
探討紅外技術(shù)“芯”動(dòng)態(tài),暢談傳感技術(shù)“芯”未來
SWaP3的內(nèi)涵核心其實(shí)是從以往一味的追求性能到當(dāng)下更加追求探測(cè)器的實(shí)用性和可制造性,而小像元技術(shù)將成為其中的核心技術(shù)。圍繞像元尺寸為何以及如何減小,包...
2022-11-16 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器 553 0
自供能Ag/SnSe納米管紅外探測(cè)器的制備和性能研究
基于此,本文用光沉積法在SnSe納米管表面修飾金屬Ag納米粒子,在室溫下合成Ag修飾SnSe(Ag/SnSe)納米管并以Pt為對(duì)電極組裝紅外探測(cè)器,研究...
介紹一種具有GFPT微結(jié)構(gòu)的T2SL探測(cè)器
紅外探測(cè)器已被廣泛應(yīng)用于物體識(shí)別、癌癥檢測(cè)等領(lǐng)域。目前,中紅外光敏材料主要包括碲鎘汞(HgCdTe)合金和III-V T2SL。
2022-10-20 標(biāo)簽:紅外探測(cè)器光電轉(zhuǎn)換PIN 2.9k 0
紅外探測(cè)器是通過焦平面上一個(gè)個(gè)像元的光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)紅外熱成像的而像元尺寸是直接影響紅外熱成像組件的體積、成本以及成像性能的重要指標(biāo)。
被動(dòng)紅外探測(cè)器:PIR(Passive infrared detectors)采用被動(dòng)紅外方式,已達(dá)到安保報(bào)警功能的探測(cè)器。被動(dòng)式紅外探測(cè)器主要由光學(xué)系...
被動(dòng)紅外探測(cè)器的優(yōu)缺點(diǎn)_被動(dòng)紅外探測(cè)器安裝
本文主要闡述了被動(dòng)紅外探測(cè)器的優(yōu)缺點(diǎn)及安裝方法。
被動(dòng)式紅外探測(cè)器單獨(dú)一個(gè)就能使用,一般被動(dòng)探測(cè)器的探測(cè)距離是在12米左右,分有110度廣角探測(cè)器、15度幕簾探測(cè)器、110度廣角紅外微波雙鑒探測(cè)器等三種...
紅外探測(cè)器是靠探測(cè)人體發(fā)射的紅外線來進(jìn)行工作的。探測(cè)器收集外界的紅外輻射進(jìn)而聚集到紅外傳感器上。紅外傳感器通常采用熱釋電元件,這種元件在接收了紅外輻射溫...
熱釋電紅外探測(cè)器簡(jiǎn)稱熱釋電探測(cè)器,是近十年來在熱探測(cè)領(lǐng)域得到重要發(fā)展的一種新型熱探測(cè)器。
分享關(guān)于紅外熱成像知識(shí)的原理及應(yīng)用
非均勻性校正是指有效降低探測(cè)器的響應(yīng)率不均勻性,提高熱像儀成像質(zhì)量的一種技術(shù)手段。經(jīng)過非均勻性校正的熱像儀成像畫面均勻,鬼影和壞點(diǎn)現(xiàn)象消失,成像效果得到...
非均勻性校正是指有效降低探測(cè)器的響應(yīng)率不均勻性,提高熱像儀成像質(zhì)量的一種技術(shù)手段。經(jīng)過非均勻性校正的熱像儀成像畫面均勻,鬼影和壞點(diǎn)現(xiàn)象消失,成像效果得到...
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