標簽 > 磊晶技術
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磊晶是指一種用于半導體器件制造過程中,有時可能也概指以磊晶技術制作的晶粒。在原有晶片上長出新結(jié)晶,以制成新半導體層的技術,磊晶技術可用以制造矽電晶體到 CMOS 積體電路等各種元件。
具有旁路模式的 40 MHz 至 1 G 中帶 1805 至 2170 MHz 低 850 至 920 MHz、19 dBm 700 至 800 MHz、19 dBm 2110 至 2170 MHz 線性功率 851 至 894 MHz 線性功率放大 758 至 803 MHz 線性功率放大 1930 至 1995 MHz 線性功率 1805 至 1880 MHz 高效 4 800 至 900 MHz 高效 4 W 5 GHz、23dBm 功率放大器,帶功 高功率 ( 19 dBm) 802.11
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