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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2681個(gè) 瀏覽：51534次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

      碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

      2023-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 4.5k 0

      驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

      驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

      相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)啟電壓更低的特點(diǎn)，越來(lái)越廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

      2024-06-21 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 4.5k 0

      從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

      由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享，接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

      2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4.4k 0

      IGBT工作時(shí)序及門(mén)極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法

      IGBT工作時(shí)序及門(mén)極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法

      本篇文章簡(jiǎn)單介紹IGBT工作時(shí)序及門(mén)極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法，引入大電流驅(qū)動(dòng)IC以及門(mén)極保護(hù)TVS，同時(shí)羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅(qū)動(dòng)電壓，借此介紹非...

      2023-12-21 標(biāo)簽：MOSFETTVSIGBT 4.4k 0

      氮化鎵和碳化硅哪個(gè)有優(yōu)勢(shì)

      氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對(duì)兩者優(yōu)勢(shì)的比較： 氮化鎵（GaN）...

      2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 4.4k 0

      什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？

      SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。

      2024-04-18 標(biāo)簽：SiC熱處理碳化硅 4.4k 0

      3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

      3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

      摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

      2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET光伏晶體管 4.3k 0

      碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

      以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析： 材料特性： 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使...

      2024-08-08 標(biāo)簽：晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 4.3k 0

      常見(jiàn)的碳化硅半導(dǎo)體器件

      常見(jiàn)的碳化硅半導(dǎo)體器件

      碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。

      2019-10-24 標(biāo)簽：碳化硅碳化硅半導(dǎo)體 4.3k 0

      SiC器件的優(yōu)缺點(diǎn)！

      在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

      2023-02-21 標(biāo)簽：逆變器IGBTSiC 4.3k 0

      碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案

      碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案

      對(duì)于可再生能源設(shè)備，如太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備，我們的碳化硅器件具有極低的RDS（on）特性，可將散熱量保持在最低水平。

      2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻晶體管 4.3k 0

      碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析

      碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析

      碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開(kāi)關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對(duì)低等特點(diǎn)， 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。

      2024-04-01 標(biāo)簽：MOSFET變換器電源供電 4.3k 0

      碳化硅MOSFET工藝和芯片制造工藝

      　　碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET晶圓碳化硅 4.3k 0

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

      　　在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBTPN結(jié) 4.3k 0

      什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析

      什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析

      800V高壓系統(tǒng)的稱(chēng)呼源自于整車(chē)電氣角度。當(dāng)前主流新能源整車(chē)高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍一般為230V-450V，取中間值400V，籠統(tǒng)稱(chēng)之為400V系統(tǒng)；而伴...

      2023-05-31 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 4.2k 0

      碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

      碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

      碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

      2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管SiC 4.2k 0

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

      半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

      2023-12-21 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 4.2k 0

      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

      與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...

      2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 4.2k 0

      車(chē)載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案

      車(chē)載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案

      車(chē)載充電機(jī)（On-Board Charger，簡(jiǎn)稱(chēng)為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車(chē)載充電機(jī)，給車(chē)載動(dòng)力電池進(jìn)行慢...

      2022-07-20 標(biāo)簽：SiC碳化硅OBC 4.2k 0

      銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

      作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類(lèi)似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

      2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 4.2k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        驍龍
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        驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
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        Mobileye
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        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車(chē)道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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