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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2684個(gè) 瀏覽：51554次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

      碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

      碳化硅（SiC）功率器件是近年來半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能，廣泛應(yīng)用于電力...

      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 959 0

      碳化硅功率器件：能效革新的催化劑！

      隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高，傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場景中。

      2024-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體逆變器功率器件 955 0

      天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)開創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀(jì)元

      天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)開創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀(jì)元

      石墨烯作為首個(gè)被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料，具有寬帶光響應(yīng)、高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。

      2024-01-08 標(biāo)簽：電子元件石墨烯碳化硅 955 0

      碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性

      碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性

      碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。

      2023-05-25 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET電機(jī)控制器 952 0

      惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用

      近年來，隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率器件封測設(shè)備和材料在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要，國內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。

      2023-02-10 標(biāo)簽：電力電子功率器件碳化硅 951 0

      SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

      SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

      MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

      2023-08-24 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管 950 0

      碳化硅MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)和模塊設(shè)計(jì)

      碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 945 0

      碳化硅功率器件的工作原理

      碳化硅功率器件的工作原理

      碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

      2024-03-26 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 944 0

      探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

      探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

      碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場強(qiáng)度。

      2024-03-14 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 939 0

      探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

      探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

      本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過規(guī)范測量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中...

      2025-08-23 標(biāo)簽：晶圓測量儀碳化硅 937 0

      基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H概述

      光伏與儲(chǔ)能是能源電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)利用的有效途徑，在推動(dòng)碳達(dá)峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用，碳化硅憑借導(dǎo)通電阻低開關(guān)損耗小的優(yōu)勢，可有效助力光伏與儲(chǔ)能...

      2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET電力系統(tǒng)光伏 932 0

      國內(nèi)企業(yè)逐步切入，國產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

      在車載充電器領(lǐng)域，碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。

      2023-03-31 標(biāo)簽：MOSFET光伏逆變器碳化硅 931 0

      安森美應(yīng)用于UPS的SiC方案

      隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場對(duì)不間斷電源(UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計(jì)人員面臨...

      2022-07-12 標(biāo)簽：UPSSiC碳化硅 931 0

      PCB材料選擇與性能比較

      PCB板被廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)，作為電子設(shè)備的重要組成部分之一，負(fù)責(zé)連接各種電子元件。

      2023-06-08 標(biāo)簽：PCB板電磁場碳化硅 927 0

      安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)

      安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)

      隨著電動(dòng)汽車動(dòng)力總成和能源基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)碳化硅(SiC)功率器件需求的增加，加速了市場的增長。在這一過程中，終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...

      2024-12-26 標(biāo)簽：MOSFET安森美碳化硅 922 0

      中科院物理研究所探索用一種新的方法生長碳化硅晶體

      碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團(tuán)隊(duì)們正在探索用一種新的方法生長碳...

      2023-01-31 標(biāo)簽：碳化硅 915 0

      貼片壓敏電阻的關(guān)鍵特性

      貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號(hào)、規(guī)格及生產(chǎn)工藝而有所差異。一般來說，貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來說...

      2024-09-20 標(biāo)簽：電流貼片壓敏電阻電壓 913 0

      碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

      碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程

      摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問題，系統(tǒng)分析異常類型與成因，構(gòu)建科學(xué)高效的快速診斷流程，并提出針對(duì)性處理方法，旨在提升數(shù)據(jù)異...

      2025-08-14 標(biāo)簽：晶圓厚度測量碳化硅 913 0

      不同類型的碳化硅功率器件

      目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅...

      2023-08-31 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 907 0

      混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點(diǎn)

      混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點(diǎn)

      IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成，續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料，按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管(S...

      2023-09-22 標(biāo)簽：二極管IGBT分立器件 903 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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