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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2686個(gè) 瀏覽：51561次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      為什么選擇SiC作為下一個(gè)雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢？

      硅（Si）基電力電子器件長(zhǎng)期以來(lái)一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對(duì)容易獲得。

      2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器充電器 1.2k 0

      基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊解析

      基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊解析

      隨著可再生能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來(lái)越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性，在650...

      2024-11-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅半橋模塊 1.2k 0

      碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

      碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

      碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問(wèn)題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。

      2025-06-04 標(biāo)簽：SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 1.2k 0

      小米汽車發(fā)布會(huì)：自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái)

      小米汽車發(fā)布會(huì)：自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái)

      小米自研小米800V碳化硅高壓平臺(tái)：871V

      2023-12-28 標(biāo)簽：碳化硅小米汽車800V平臺(tái) 1.2k 0

      SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

      SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

      半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無(wú)論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。

      2023-05-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器SiC半導(dǎo)體器件 1.2k 0

      安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

      安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹

      安森美推出了具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系...

      2025-06-13 標(biāo)簽：MOSFET安森美JFET 1.2k 0

      如何防止碳化硅SiC MOSFET失效呢？

      有效的熱管理對(duì)于防止SiC MOSFET失效有很大的關(guān)系，環(huán)境過(guò)熱會(huì)降低設(shè)備的電氣特性并導(dǎo)致過(guò)早失效，充分散熱、正確放置導(dǎo)熱墊以及確保充足的氣流對(duì)于 M...

      2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFETSiC熱管理 1.2k 0

      碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

      二十多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。

      2023-01-17 標(biāo)簽：封裝封裝技術(shù)功率器件 1.2k 1

      模塊封裝的關(guān)鍵工藝

      模塊封裝的關(guān)鍵工藝

      區(qū)別于分立器件模塊的制造有一些特別的關(guān)鍵工藝技術(shù)，如銀燒結(jié)、粗銅線鍵合、端子焊接等。

      2024-12-04 標(biāo)簽：封裝分立器件碳化硅 1.2k 0

      碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

      碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

      在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

      2024-04-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 1.2k 0

      新型功率器件的老化測(cè)試方法

      新型功率器件的老化測(cè)試方法

      隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)...

      2025-06-03 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵碳化硅 1.2k 0

      碳化硅器件在車載充電機(jī)（OBC）中的性能優(yōu)勢(shì)

      碳化硅器件在車載充電機(jī)（OBC）中的性能優(yōu)勢(shì)

      碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%，在OBC產(chǎn)品上...

      2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件碳化硅 1.2k 0

      SiC系統(tǒng)梳理貼

      SiC系統(tǒng)梳理貼

      1月5日，比亞迪發(fā)布會(huì)重磅發(fā)布了2款新的SiC電控的車型：比亞迪發(fā)布2款仰望車型搭載SiC電控，時(shí)隔2年，比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發(fā)布...

      2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 1.2k 0

      功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)

      功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還...

      2025-02-03 標(biāo)簽：IGBT功率器件碳化硅 1.2k 0

      2CP0220T12-ZC01驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品特點(diǎn)和典型應(yīng)用

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      太陽(yáng)能是重要的清潔能源，而光伏逆變器是太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心組成部分，其穩(wěn)定可靠運(yùn)行對(duì)系統(tǒng)整體性能有著舉足輕重的影響。青銅劍技術(shù)2CP0220T12-...

      2023-11-22 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器太陽(yáng)能光伏逆變器 1.2k 0

      極海G32R501全數(shù)字雙向電源參考方案介紹

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      雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶用儲(chǔ)能、便攜式儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車等應(yīng)用，在能源使用效率備受關(guān)注的今天，雙向電源必須滿足更高的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)...

      2025-01-10 標(biāo)簽：mcu數(shù)字電源碳化硅 1.2k 0

      碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

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      碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

      2023-09-27 標(biāo)簽：BGASiC芯片封裝 1.2k 0

      新能源汽車領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用

      新能源汽車領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用

      汽車原始設(shè)備制造商對(duì)電力電子系統(tǒng)的要求對(duì)此類系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡，整個(gè)系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段的工作...

      2023-05-25 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車新能源汽車碳化硅 1.1k 0

      為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng)：碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.1k 0

      碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器的選擇標(biāo)準(zhǔn)

      碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器的選擇標(biāo)準(zhǔn)

      利用集成負(fù)偏壓來(lái)關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和泵等高功率應(yīng)用時(shí)，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因?yàn)榕c I...

      2024-08-20 標(biāo)簽：MOSFET安森美柵極驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        +關(guān)注
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      • 超級(jí)本
        超級(jí)本
        +關(guān)注
        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
      • PFM
        PFM
        +關(guān)注
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