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硅片

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　硅片，是制作集成電路的重要材料，通過對硅片進行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導體器件。在米粒大的硅片上，已能集成16萬個晶體管，這是科學技術進步的又一個里程碑。

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硅片技術

講講芯片的流片制造那些事兒

將硅錠切成1mm左右一片片的wafer（晶圓）。晶圓尺寸有大有小，比如8inch, 12inch的晶圓，光刻的時候直接刻整個圓，然后切下來好多小芯片。

2023-02-02 標簽：臺積電硅片芯片晶圓 4.9k 0

什么是光刻技術

光刻技術簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規(guī)模集成電路的基礎。目前市場上主流技術是193nm沉浸式光刻技術，CPU所謂30nm工藝或者22...

2023-04-25 標簽：cpu 硅片光刻技術 4.6k 0

材料認識-硅拋光片和外延片

前言硅片按照產(chǎn)品工藝進行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片，本期關注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋...

2024-06-12 標簽：材料硅片 SOI 4.6k 0

使用ICP-MS/MS進行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實驗過程

高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過程中的基本要求，其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得，其表面的多層晶格處于被破...

2024-01-11 標簽：集成電路半導體光伏 3.6k 0

2022年硅片需求大漲 2023年行情恐怕會發(fā)生反轉

半導體材料市場研究和咨詢公司TECHCET發(fā)布預測，2022年硅片市場（包括SOI晶圓）將同比增長12%，達到160億美元，出貨面積將同比增長6%，創(chuàng)歷史新高。

2022-09-05 標簽：集成電路硅片 3.4k 0

空腔-SOI襯底制造MEMS諧振器的工藝流程

常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen,...

2022-10-12 標簽：mems 諧振器硅片 3.2k 0

Fe和Cu污染對硅襯底少數(shù)載流子壽命的影響分析

在所有金屬污染物中，鐵和銅被認為是最有問題的。它們不僅可以很容易地從未優(yōu)化的工藝工具和低質量的氣體和化學物質轉移到晶片上，而旦還會大大降低硅器件的產(chǎn)量。...

2021-12-15 標簽：半導體硅片有機半導體 3.1k 0

如何進行晶圓檢測

在關鍵尺寸的在線量測環(huán)節(jié)，所運用的設備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD（optical critical dimention，光學關鍵尺寸）量測設備。

2025-03-06 標簽：集成電路晶圓硅片 3.1k 0

簡述光刻工藝的三個主要步驟

“ 光刻作為半導體中的關鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常，整個光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場異常的處理顯得尤為關鍵”

2024-10-22 標簽：半導體晶圓硅片 3.1k 0

一種用于硅片超薄化的腐蝕技術

能源被認為是未來五十年人類面臨的頭號問題。據(jù)估計，太陽能在一小時內(nèi)顯示出供給的潛力，其能量足以滿足世界一年的能源需求總量。光伏產(chǎn)業(yè)面臨的一個主要挑戰(zhàn)是以...

2022-06-30 標簽：太陽能蝕刻硅片 3.1k 0

一種除去晶片表面有機物的清洗方法

近年來，作為取代SPM（硫酸/過氧化氫）清洗的有機物去除法，通過添加臭氧的超純水進行的清洗受到關注，其有效性逐漸被發(fā)現(xiàn)。在該清洗法中，可以實現(xiàn)清洗工序的...

2022-04-13 標簽：工藝硅片清洗 3k 0

KOH硅濕法蝕刻工藝設計研究

在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300m...

2022-03-28 標簽：工藝蝕刻硅片 3k 0

N型少子壽命為何超越P型的原因解析

N型硅片通常需要更高純度的硅料，這意味著它們含有的金屬雜質較少，這些金屬雜質可能會作為復合中心降低少子壽命。

2024-04-25 標簽：半導體硅片 2.7k 0

硅片形貌效應及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關系的解析

硅片形貌效應在光刻工藝中十分重要，特別是在現(xiàn)代集成電路制造中，如FinFET等先進器件結構以及雙重圖形技術的廣泛應用下，硅片表面的微小不平整性對光刻結果...

2024-11-22 標簽：多晶硅硅片 DPT 2.5k 0

深入剖析：封裝工藝對硅片翹曲的復雜影響

在半導體制造過程中，硅片的封裝是至關重要的一環(huán)。封裝不僅保護著脆弱的芯片免受外界環(huán)境的損害，還提供了芯片與外部電路的連接通道。然而，封裝過程中硅片的翹曲...

2024-11-26 標簽：半導體封裝硅片 2.4k 0

半導體外延生長方式介紹

本文簡單介紹了幾種半導體外延生長方式。

2024-10-18 標簽：半導體工藝硅片 2.4k 0

半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

引言硅(Si)在半導體器件制造中的大多數(shù)技術應用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅（二氧化硅）可以通過簡單的氧化方法在硅表面制備，其特點是高化學...

2022-01-13 標簽：太陽能半導體電子 2.4k 0

半導體工藝晶圓片的制備過程

先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對8吋，12吋硅片的應用在不斷擴大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標簽：芯片制造硅片晶圓制造 2.4k 0

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機理研究

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來去除顆粒和有機污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認為...

2021-12-20 標簽：半導體晶片硅片 2.4k 0

硅片不同晶向的區(qū)別

簡單來說：晶向就是晶體內(nèi)部原子沿某種方向排列的“路徑”。晶向通常用方括號 [hkl] 表示方向，用圓括號 (hkl) 表示平面，而表示晶向族。

2025-05-14 標簽：晶圓硅片 2.3k 0

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全志科技是領先的智能應用處理器SoC和智能模擬芯片設計廠商。公司主要產(chǎn)品為多核智能終端應用處理器、智能電源管理芯片等。憑借卓越的研發(fā)團隊及技術實力，全志科技在超高清視頻編解碼、高性能CPU/GPU多核整合、先進工藝的高集成度、超低功耗等方面處于業(yè)界領先水平，是全球平板電腦、高清視頻、移動互聯(lián)網(wǎng)設備以及智能電源管理等市場領域的主流供應商之一。公司總部設于中國珠海。
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