電容

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電容器，通常簡(jiǎn)稱其容納電荷的本領(lǐng)為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是‘裝電的容器’，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路，能量轉(zhuǎn)換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個(gè)彼此絕緣且相隔很近的導(dǎo)體（包括導(dǎo)線）間都構(gòu)成一個(gè)電容器。

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電容技術(shù)

射頻設(shè)計(jì)中的阻抗

2023-12-04 標(biāo)簽：射頻電容阻抗 1.1k 0

被動(dòng)元件基礎(chǔ)知識(shí)——電容

原文來(lái)自太誘，公眾號(hào)后臺(tái)回復(fù)：被動(dòng)元件獲取PDF全文【淘寶】https://m.tb.cn/h.5PAjLi7?tk=vmMLW43KO7q CZ...

2023-12-12 標(biāo)簽：電容被動(dòng)元件 1.1k 0

選擇示波器要考量的10個(gè)因素是什么

頻寬決定了示波器量測(cè)類比訊號(hào)的能力，這決定了儀器可以準(zhǔn)確量測(cè)的最大頻率。頻寬也是價(jià)格的關(guān)鍵的決定因素。選擇示波器前先確定您的需求。例如，100 MHz...

2023-08-31 標(biāo)簽：電阻 pcb 電容 1.1k 0

薄膜電容的頻率特性

薄膜電容以塑料薄膜為介質(zhì)，結(jié)合金屬電極制成，具有高頻特性好、體積小、容量大、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子電路，其優(yōu)秀頻率特性源于介質(zhì)材料特性和精細(xì)制造工藝。

2024-07-24 標(biāo)簽：薄膜電容電子 1.1k 0

模擬電路和數(shù)字電路PCB布線有何差別？

在布線時(shí)，模擬器件和數(shù)字器件都需要這些類型的電容，都需要靠近其電源引腳連接一個(gè)電容，此電容值通常為0.1uF。系統(tǒng)供電電源側(cè)需要另一類電容，通常此電容值...

2024-01-03 標(biāo)簽：電容模擬器件數(shù)字器件 1.1k 0

基本放大電路的選頻原件是什么

基本放大電路的選頻原件是電容和電感。下面將介紹電容和電感在基本放大電路中的作用和原理。電容電容是一種儲(chǔ)存電荷的電子元件，它由兩個(gè)導(dǎo)體電極之間隔著一層...

2024-07-09 標(biāo)簽：電容電子元件電感 1.1k 0

如何最大限度減小電源設(shè)計(jì)中輸出電容的數(shù)量和尺寸

電源輸出電容一般是100 nF至100 μF的陶瓷電容，它們耗費(fèi)資金，占用空間，而且，在遇到交付瓶頸的時(shí)候還會(huì)難以獲得。所以，如何最大限度減小輸出電容的...

2023-06-16 標(biāo)簽：電源電容穩(wěn)壓器 1.1k 0

關(guān)于電源紋波的那些硬核內(nèi)容都在這里了

我們常見的開關(guān)電源，是輸入的交流電壓經(jīng)過(guò)整流、穩(wěn)壓、濾波等處理后得到的，雖然經(jīng)過(guò)了處理，但直流電平上還是會(huì)有周期性和隨機(jī)性的雜波信號(hào)，這些我們不需要的部...

2023-04-07 標(biāo)簽：電源開關(guān)電源電容 1.1k 0

不同類型的薄膜電容

電子設(shè)備中，電容器是一種不可或缺的基礎(chǔ)元件，以金屬箔為電極，聚乙酯、聚丙烯等塑料薄膜作為電介質(zhì)從電極的兩端開始重疊，卷繞形成的電容器。 ...

2024-12-02 標(biāo)簽：電容電子薄膜電容 1.1k 0

陶瓷電容為什么會(huì)老化？戳進(jìn)來(lái)了解下

電器老化是普遍現(xiàn)象，受環(huán)境因素影響，如溫度、濕度、電壓和電流等。陶瓷電容作為電路重要部分，其老化會(huì)影響電路穩(wěn)定性和可靠性。要及時(shí)更換快到使用期限的陶瓷電...

2024-03-26 標(biāo)簽：電容電子陶瓷電容 1.1k 0

高精度測(cè)試系統(tǒng)紋波干擾改善方案

電容生產(chǎn)老化測(cè)試設(shè)備普遍采用可編程測(cè)試電源對(duì)測(cè)試電容樣品做充電老化測(cè)試。其中設(shè)備內(nèi)部對(duì)可編程電源輸出質(zhì)量要求最高的為電容漏電流特性測(cè)試功能模塊。其主要功...

2023-06-08 標(biāo)簽：電源電磁兼容電容 1.1k 0

模擬技術(shù)知識(shí)：電容的35個(gè)基本常識(shí)

放大電路中耦合電容和旁路電容如何判別? 耦合電容負(fù)極不接地，而是接下一級(jí)的輸入端，旁路電容負(fù)極接地。

2023-03-22 標(biāo)簽：放大器模擬電路電容 1.1k 0

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RC緩沖器的基本功能是修改振鈴頻率和降低電壓尖峰電平。這一點(diǎn)對(duì)于保護(hù)電子元件，特別是那些對(duì)電壓敏感的元件如MOSFET，至關(guān)重要。通過(guò)限制電壓尖峰，RC...

2024-10-04 標(biāo)簽：電阻電容緩沖器 1.1k 0

為什么MCU晶體兩邊要各接一個(gè)對(duì)地電容

很多MCU開發(fā)者對(duì)MCU晶體兩邊要各接一個(gè)對(duì)地電容的做法表示不理解，因?yàn)檫@個(gè)電容有時(shí)可以去掉。筆者參考了很多書籍，卻發(fā)現(xiàn)書中講解的很少，提到最多的往往是...

2022-12-27 標(biāo)簽：mcu 電容晶體 1.1k 0

基于PCB布板基本法則

電容模型電容并聯(lián)高頻特性電感模型電感特性鏡象面概念高頻交流電流環(huán)路過(guò)孔（VIA）的例子 PCB板層分割降壓式（BUCK）電源：功率部分...

2022-10-09 標(biāo)簽：pcb 電容模型 1.1k 0

如何改變貼片電感的頻率

　貼片電感電級(jí)和電解質(zhì)電解電容電級(jí)上的活性事物及其電解質(zhì)也會(huì)影響其轉(zhuǎn)換效率。電容積大，轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較低。通過(guò)小容積多串聯(lián)或小容積無(wú)旋光電容提高中高頻轉(zhuǎn)換...

2023-06-18 標(biāo)簽：電容頻率貼片電感 1.1k 0

關(guān)于運(yùn)放電路積分器的補(bǔ)償分析

cf確實(shí)會(huì)引入一個(gè)極點(diǎn)，極點(diǎn)位置在1/(2*pi*ri*cf)，（極點(diǎn)表達(dá)式不對(duì)，后面有推導(dǎo)）但是同時(shí)在原點(diǎn)引入一個(gè)零點(diǎn)，這樣這個(gè)極點(diǎn)只為原點(diǎn)的零點(diǎn)而存...

2023-12-01 標(biāo)簽：運(yùn)放電路電流電容 1.1k 0

為什么說(shuō)普通電容無(wú)法代替安規(guī)電容？

安規(guī)電容因其安規(guī)特性能夠迅速放電防電擊，耐壓高，能抑制EMI，確保電路穩(wěn)定，普通電容則易觸電、耐壓低、EMC性能差，無(wú)法代替安規(guī)電容。

2024-08-19 標(biāo)簽：電容安規(guī)電容普通電容 1.1k 0

嵌入式開發(fā)工程師，寫得了代碼，焊得了板

測(cè)試了RST等關(guān)鍵信號(hào)也沒(méi)問(wèn)題，但是測(cè)試VCAP1，VCAP2處都是0，該處的電容是給芯片內(nèi)部的LDO使用，為內(nèi)核電壓記得沒(méi)錯(cuò)的話應(yīng)該是1.8V左右，為...

2023-08-15 標(biāo)簽：芯片電容嵌入式開發(fā) 1.1k 0

示波器探測(cè)需要避免的七大常見錯(cuò)誤盤點(diǎn)

探頭在交付之前已進(jìn)行校準(zhǔn)，但沒(méi)有針對(duì)示波器前端進(jìn)行校準(zhǔn)。如果它們未在示波器輸入端上進(jìn)行校準(zhǔn)，就無(wú)法得到測(cè)量結(jié)果。有源探頭和無(wú)源探頭的情況也略有不同。

2024-03-18 標(biāo)簽：放大器電阻電容 1.1k 0

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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