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標(biāo)簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時(shí)流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導(dǎo)電溝道打開后,D到S才會有電流流過。但實(shí)際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。
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高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域,用來監(jiān)測航空發(fā)動機(jī)、重型燃?xì)廨啓C(jī)、燃煤燃?xì)忮仩t等動力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力,耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。
Y電容是一種常見的被動元件,用于濾波和穩(wěn)壓電路中。在實(shí)際應(yīng)用中,需要對Y電容進(jìn)行測試以確保其正常工作。本文將介紹Y電容的測試方法和注意事項(xiàng)。
求一種組串式逆變器針對P型、N型光伏組件PID效應(yīng)的解決方案
近期有客戶詢問關(guān)于PID效應(yīng)的問題,希望了解PID效應(yīng)原理以及P型、N型光伏組件PID機(jī)理和區(qū)別。
漏電流傳感器是一種依據(jù)互感器電磁隔離、磁調(diào)制工作原理將被測交流微電流、直流隔離轉(zhuǎn)換成線性比例的直流電流、直流電壓等標(biāo)準(zhǔn)模擬信號或RS485數(shù)字信號的裝置...
MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件,可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) ...
理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中,當(dāng)晶體管關(guān)閉的時(shí)候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是,現(xiàn)實(shí)中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方...
在現(xiàn)如今的電子類產(chǎn)品設(shè)計(jì)中,由于相關(guān)認(rèn)證法規(guī)的強(qiáng)制要求,對產(chǎn)品和人身安全認(rèn)知的加強(qiáng),產(chǎn)品的EMC等級要求變的十分苛刻。
變壓器絕緣結(jié)構(gòu)是變壓器中非常重要的組成部分,它能夠有效地隔離高壓和低壓部分,保證變壓器的正常運(yùn)行。
低功耗設(shè)計(jì)的重要性,從下圖可窺一斑,隨著工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)演化,45nm工藝的動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗相比90nm工藝分別增加到了2倍、6.5倍。
2023-04-04 標(biāo)簽:NMOS低功耗設(shè)計(jì)漏電流 5.3k 0
壓敏電阻以其獨(dú)特的電壓敏感特性,成為了電路保護(hù)與穩(wěn)壓的重要元件。其性能參數(shù)不僅決定了壓敏電阻的工作效果,更直接影響著整個電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全性。因此,...
CP,F(xiàn)T,WAT都是與芯片的測試有關(guān),他們有什么區(qū)別呢?如何區(qū)分?
CP是把壞的Die挑出來,可以減少封裝和測試的成本。
耐壓測試儀是一種用于檢驗(yàn)電氣設(shè)備絕緣性能的電氣測試儀器。它通過對設(shè)備施加一個高于正常工作電壓的高電壓,以檢測設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)是否能夠承受這種過電壓而不發(fā)生擊穿。
漏電流和泄漏電流這兩個術(shù)語在電氣工程領(lǐng)域經(jīng)常被提及,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在測試條件、測量方法和應(yīng)用場景上
貼片電容封裝大小的性能差異是存在的,并且這些差異在多個方面都有所體現(xiàn)。以下是對這些差異的具體分析: 1. 損耗與漏電流 封裝尺寸大的貼片電容 :損耗小,...
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