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標簽 > 漏電流
漏電流分為四種，分別為：半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置，G-S反向偏置，導(dǎo)電溝道打開后，D到S才會有電流流過。但實際上由于自由電子的存在，自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。
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薄膜電容器是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的電容器，它利用兩層導(dǎo)電薄膜（通常為金屬化塑料薄膜）之間的絕緣介質(zhì)來存儲電荷。
漏電流和泄漏電流這兩個術(shù)語在電氣工程領(lǐng)域經(jīng)常被提及，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在測試條件、測量方法和應(yīng)用場景上
什么是硅穩(wěn)壓管？硅穩(wěn)壓管正常工作在什么狀態(tài)？
在電子電路的世界里，穩(wěn)定性是至關(guān)重要的。無論是為敏感的傳感器供電還是確保微處理器的穩(wěn)定運行，都需要電壓源能夠提供恒定的輸出。
2024-04-07 標簽：串聯(lián)電阻電壓源微處理器 3.4k 0
電子元件中的電解電容器，以其高電容值和低內(nèi)阻特性，在電源平滑、信號耦合和能量存儲等眾多電路中發(fā)揮著不可或缺的作用。
在電子電路的世界里，電容器是基礎(chǔ)且重要的組件之一。它們在調(diào)節(jié)電流、平滑電壓和儲存能量等方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
變?nèi)荻O管的工作原理 變?nèi)荻O管的作用特點
變?nèi)荻O管為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴散電容效應(yīng)；
2024-04-04 標簽：半導(dǎo)體變?nèi)荻O管可變電容器 2.7k 0
淺析運算放大器進入鉗位狀態(tài)的原理(以LM358為例)
運算放大器（簡稱“運放”）是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實際電路中，通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡(luò)共同組成某種功能模塊。
如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品？選擇MOS管時需考慮的關(guān)鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件，它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。
當單板啟動時，SLP_S3會輸出3V3電平，此時Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區(qū)時hFE=100計算，ic=100...
FPGA設(shè)計關(guān)于功耗專業(yè)的術(shù)語解析
總的片上功耗 Total On-Chip Power: 總的片上功耗是器件內(nèi)部的功耗，等同于器件的靜態(tài)功耗加上設(shè)計功耗，也稱為熱功耗。
電力二極管（Power Diode）在20世紀50年代初期就獲得應(yīng)用，當時也被稱為半導(dǎo)體整流器；
三相電動機一開就跳閘可能有多種原因，以下將從電機本身和電源兩個方面進行詳細解析。 一、電機本身原因： 電機絕緣老化或損壞：電機絕緣老化或受損會造成絕緣阻...
講講在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中進行DC/DC電源模塊選型時遇到的問題
隨著電源模塊的出現(xiàn)與發(fā)展，嵌入式工程師開始從繁重的電源設(shè)計工作中解脫出來，但電源模塊的種類也越來越多，我們在日常的電路設(shè)計中應(yīng)該如何考慮選型呢？
2024-03-04 標簽：嵌入式系統(tǒng)輸出電壓電源模塊 1.3k 0
開關(guān)二極管是一種常用的半導(dǎo)體器件，其原理是利用PN結(jié)的導(dǎo)電特性來控制電流的流動。
2024-02-27 標簽：半導(dǎo)體開關(guān)二極管漏電流 3.1k 0
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）電路是一種常見的電子邏輯門電路技術(shù)，由一個PMOS（P型金屬氧...
在電子電路的保護元件中，壓敏電阻（Varistor）是一種關(guān)鍵的非線性電阻器，它能夠保護電路免受瞬間過電壓的損害。壓敏電阻的工作原理和V-I（電壓-電流...
MB10F整流橋規(guī)格參數(shù)和應(yīng)用
MB10F的浪涌電流Ifsm為35A，漏電流為5uA，工作溫度范圍為-55℃~+150℃，具備超薄、小巧的特性，非常適合對整流橋尺寸要求較高的產(chǎn)品。
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