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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵（GaN）如何應(yīng)對設(shè)計和可持續(xù)性挑戰(zhàn)
為了提高采用率，電動汽車必須提供安全性和便利性，在這種情況下，這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時間有關(guān)。硅器件不太可能達到所需的水平...
120W氮化鎵充電器拆解對比：看國產(chǎn)芯片如何征服大廠
因為這兩個充電器呢都是PFC+準(zhǔn)諧振反激式的電源架構(gòu)，因此我們可以對應(yīng)著相同功能部分來對比。先看一些被動元器件，像保險絲，NTC浪涌抑制電阻，安規(guī)電容，...
Ganvix與BluGlass合作開發(fā)基于GaN的綠光VCSEL
與此同時，總部位于澳大利亞的BluGlass正在開發(fā)一種稱為遠程等離子體化學(xué)氣相沉積（RPCVD）的新型沉積技術(shù)，其不同于金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCV...
研究機構(gòu)：“全球碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體市場預(yù)計2022年將達到18.4億美元，2025年會進一步增長到52.9億美元”。那么什么是半導(dǎo)體？
放眼當(dāng)下市場，已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國外廠商產(chǎn)品，客戶的選擇空間十分有限，同時也蘊藏著巨大的商機。日前，智融科技推出了一款氮化鎵直驅(qū)控制芯片...
科雅超低音X2電容用于NITRIDE 65W超薄氮化鎵充電器
深圳市譽鴻錦推出了一款NITRIDE品牌的餅干氮化鎵充電器，充電器內(nèi)置平面變壓器和氮化鎵器件、超薄X2安規(guī)電容，助力超薄設(shè)計，厚度僅為12.8mm。支持...
作為Redmi Note 12系列的重頭戲，Redmi Note 12探索版配備了210W“神仙秒充”，在等效4300mAh電池下，5分鐘就能充至66%...
2022-12-02 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.5k 0
好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅(qū)動器比翼雙飛，助力氮化鎵先進應(yīng)用
未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配...
普通消費者，甚至對氮化鎵了解不多的工程師，普遍認(rèn)為氮化鎵只能實現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實，因為增強型氮化鎵目前只有QFN/DFN和T...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）自電動兩輪車新國標(biāo)落地后，行業(yè)迎來產(chǎn)業(yè)躍遷的新機遇。據(jù)中國自行車協(xié)會統(tǒng)計，2020年電動兩輪車市場交易金額達1046億元，增...
2022-11-24 標(biāo)簽：氮化鎵 2.6k 0
PI新品：集成氮化鎵開關(guān)的高效、可編程開關(guān)IC
Power Integrations正式推出使用有源鉗位的數(shù)字可編程反激式氮化鎵開關(guān)IC，是適用廣泛、高效，而且尺寸極小的產(chǎn)品系列。 11月15日，作為...
該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 1.9k 0
納微半導(dǎo)體助?摩托羅拉X30 Pro發(fā)布全新125W氮化鎵快充
作為摩托羅拉的最新旗艦?機，X30 Pro搭載了4nm的?通驍龍8+Gen 1處理器，采?6.7英??持144Hz刷新率的OLED顯?屏。值得?提的是，...
2022-11-15 標(biāo)簽：摩托羅拉氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.4k 0
用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進入普及階段。使用碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體以純電動汽 用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進入普及階段。使用碳化...
2022-11-11 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.2k 0
氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優(yōu)勢，但降低成本的可能性卻更大。業(yè)界認(rèn)為，在未來數(shù)年間，氮化鎵功率器件的成本可望壓低到和硅...
憑藉在第三代半導(dǎo)體GaN制造方面的專業(yè)知識、強大科研技術(shù)團隊及研發(fā)能力，宏光半導(dǎo)體近年積極實現(xiàn)相關(guān)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型。集團之技術(shù)團隊利用其豐富經(jīng)驗，在短短三個月調(diào)...
單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保...
2022-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵硅片 7.7k 0
SiC MOSFET被推廣為使用IGBT的現(xiàn)有設(shè)計的絕佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆變器和風(fēng)力渦輪機>1000 V應(yīng)用的支柱，提供中速開關(guān)。
第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換...
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