金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響

本文研究了金屬蝕刻殘留物，尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁，并且通過光發(fā)射光譜來監(jiān)測C...

2022-05-05 標(biāo)簽：等離子蝕刻晶片 1.4k 0

使用晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)

本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術(shù)在硅中產(chǎn)生溝槽結(jié)構(gòu)的簡單技術(shù)，通過使用(110)Si的取向相關(guān)蝕刻，可能在硅中產(chǎn)生具有垂直側(cè)壁的溝槽，與該技術(shù)一...

2022-05-05 標(biāo)簽：處理技術(shù)蝕刻晶片 1.4k 0

利用異丙醇和氮載氣開發(fā)的晶片干燥系統(tǒng)

利用異丙醇(IPA)和氮載氣開發(fā)創(chuàng)新了一種晶片干燥系統(tǒng)，取代了傳統(tǒng)的非環(huán)保晶片干燥系統(tǒng)。研究b了IPA濃度是運行該系統(tǒng)的最重要因素，為了防止IPA和熱量...

2022-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片干燥系統(tǒng) 1.3k 0

半導(dǎo)體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず皖w粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后，仍殘留有厚度超過200...

2022-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 2.6k 0

半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析

摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面...

2022-04-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片 1.9k 0

通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透研究

本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻...

2022-04-22 標(biāo)簽：蝕刻晶片光致抗蝕劑 1.1k 0

一種新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)

本文介紹了新型的全化學(xué)晶片清洗技術(shù)，研究它們是否可以提供更低的水和化學(xué)消耗的能力，能否提供每種技術(shù)的工藝應(yīng)用、清潔機(jī)制、工藝效益以及考慮因素、環(huán)境、安全...

2022-04-21 標(biāo)簽：工藝晶片清洗 573 0

利用臭氧微泡清洗半導(dǎo)體晶片

小氣泡顯示出與普通氣泡不同的行為。普通氣泡在水中急速浮起，在表面破裂消失。但是，如果成為直徑小于50μm的氣泡，則會慢慢浮起并縮小，最終在水中消失。在水...

2022-04-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片清洗 1.2k 0

制備用于清潔半導(dǎo)體的新型H2O2水實驗研究

半導(dǎo)體晶片和器件清洗工序中使用的清洗藥液和超純水的純度要求隨著半導(dǎo)體的微細(xì)化而變得嚴(yán)格，金屬雜質(zhì)的含有濃度達(dá)到了ppt水平。在使用該藥液的半導(dǎo)體清洗工序...

2022-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體實驗晶片 1.1k 0

詳細(xì)探討晶片清洗和紋理的相互作用

本文將詳細(xì)探討清洗和紋理的相互作用，在清潔過程中使用的化學(xué)類型對平等有著深遠(yuǎn)的影響，并在紋理中產(chǎn)生不可預(yù)測的影響。

2022-04-18 標(biāo)簽：晶片清洗 761 0

晶片濕法刻蝕工藝詳解

　　濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大...

2022-04-15 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 3.4k 0

GaN單晶晶片的清洗與制造方法

作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片，通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進(jìn)行生長...

2022-04-15 標(biāo)簽：晶片GaN清洗 1.2k 0

詳解硅晶片的熱氧化工藝

Si晶片在大氣中自然氧化，表面非常薄，但被SiO2膜復(fù)蓋。Si和在其上產(chǎn)生的SiO2膜的密合性很強(qiáng)。在高溫下進(jìn)行氧化，會產(chǎn)生厚而致密且穩(wěn)定的膜。Si的熔...

2022-04-13 標(biāo)簽：工藝晶片 6.6k 0

外延沉積前原位工藝清洗的效果

本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機(jī)物，此外，該過程是在原位進(jìn)行的，沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉(zhuǎn)移到?jīng)_...

2022-04-12 標(biāo)簽：工藝晶片清洗 1.2k 0

操作參數(shù)對蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開發(fā)和應(yīng)用一個數(shù)值模型來幫助設(shè)計和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學(xué)模型，通過與實驗蝕刻速率數(shù)據(jù)...

2022-04-08 標(biāo)簽：蝕刻晶片CDE 1.5k 0

一種提高晶片干燥效率的馬蘭戈尼型干燥劑系統(tǒng)

晶片干洗系統(tǒng)，更詳細(xì)地說，是一種能夠提高對晶片干燥效率的馬蘭戈尼型(MARANGONI)TYPE)干洗系統(tǒng)。

2022-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝晶片 1.3k 0

濕法清洗過程中晶片旋轉(zhuǎn)速度的影響

在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實生產(chǎn)線中，器件加工過程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過清潔技術(shù)去除污染...

2022-04-08 標(biāo)簽：集成電路工藝晶片 1k 0

MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究

本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時間短的兩步MACE法制備硼...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1.2k 0

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對黑硅的形成進(jìn)行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結(jié)構(gòu)包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標(biāo)簽：工藝晶片刻蝕 1.4k 0

過氧化氫在SC1清潔中的應(yīng)用

RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔，在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個順序步驟：標(biāo)準(zhǔn)清潔1（SC-1）和標(biāo)準(zhǔn)清潔2（SC-2）。SC-1溶液由氫氧化銨、過氧化...

2022-03-29 標(biāo)簽：晶片模型RCA 3k 0