離子注入技術的常見問題

離子注入單晶靶材時，因靶體存在特定晶向，其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察，能發(fā)現晶格間存在特定通道（圖 1）。當...

2025-09-12 標簽：晶格離子注入 1.3k 0

源漏嵌入SiGe應變技術簡介

與通過源漏嵌入 SiC 應變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應變材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 應變技術被廣泛用...

2024-07-26 標簽：SiGePMOS晶格 3.5k 0

源漏嵌入SiC應變技術簡介

源漏區(qū)嵌入SiC 應變技術被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術在源漏嵌入 SiC 應變材料，利用硅和碳晶格常數...

2024-07-25 標簽：NMOSSiC晶格 2k 0

先進的熱控制可確保LED使用壽命

LED 是復雜的固態(tài)器件。圖 1 顯示了典型器件的橫截面，顯示了構成封裝 LED 的各種結構。為簡單起見，我們將組件分為 3 個區(qū)域。首先，包含 p/n...

2024-01-29 標簽：led模型晶格 968 0

晶體知識——固溶體介紹

當一種組元A加到另一種組元B中形成的固體其結構仍保留為組元B的結構時，這種固體稱為固溶體。B組元稱為溶劑，A組元稱為溶質。組元A、B可以是元素，可以是化合物。

2023-11-25 標簽：晶體晶格 6.9k 0

研究人員利用范德華（vdW）納米材料制造納米級諧振器

當與電子器件相結合時，紅外光可以在分子水平上使傳感、成像及信號傳輸設備實現小型化和加快速度。為了充分利用紅外光的優(yōu)勢，用于紅外光學和光電應用的材料需要達...

2023-11-08 標簽：納米材料諧振器晶格 1.5k 0

晶體結構解析：空間點陣和晶胞

晶體的微觀結構，是指晶體中實際質點(原子?離子或分子)的具體排列情況。

2023-11-05 標簽：晶體晶格晶胞 9.5k 0

硅基復合襯底上分子束外延HgTe/CdTe超晶格結構材料工藝研究

碲鎘汞材料具有截止波長在紅外波段內可調節(jié)、光學吸收系數高、量子效率高等特點，是重要的紅外探測器應用材料之一。近年來分子束外延生長碲鎘汞技術的快速發(fā)展，使...

2023-09-26 標簽：探測器測溫儀晶格 1.8k 0

帶間級聯紅外探測器的光電流輸運與量子效率研究

基于II類超晶格的帶間級聯探測器首次由俄亥俄州立大學的楊瑞青教授提出，并已成功應用于紅外光電探測中，其工作原理如圖1所示。當光照射在器件上，吸收區(qū)中的電...

2023-09-25 標簽：探測器量子紅外探測器 1.7k 0

金屬材料激光加工過程中的四大階段

激光束首先在金屬工件表面進行聚焦形成激光光斑，由菲涅爾吸收原理可知，在距離金屬材料加工表面幾納米深度的位置處激光能量進行聚集。金屬中的自由電子開始吸收光...

2023-09-15 標簽：金屬材料晶格激光束 2k 0

基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環(huán)衍生結構的自旋卡諾電子學器件設計

為了減小界面處的晶格形變，提高電子透射性能，我們基于STGNR和5-STGNR納米帶，設計了全新的自旋卡諾電子學器件。采用非平衡態(tài)格林函數結合密度泛函理...

2023-09-12 標簽：半導體石墨烯晶格 2.3k 0

InAs/GaSb Ⅱ類超晶格長波紅外探測器研究進展

隨著材料技術的發(fā)展，InAs/GaSbⅡ類超晶格（T2SLs）的優(yōu)越性日益凸顯，特別適用于中長波紅外（MLWIR）和甚長波紅外（VLWIR）探測?；贗...

2023-09-09 標簽：探測器晶格PIN 3k 0

索鉿-氧化鋯-氧化鋁諧振器的溫度穩(wěn)定方法

新開發(fā)的原子工程技術為高k電介質中的鐵電行為提供了令人興奮的機遇，高k電介質是與硅相比具有高介電常數的材料。這還可以為更先進且具有更廣泛功能或特性的CM...

2023-08-22 標簽：諧振器頻譜顯微鏡 1.2k 0

首次發(fā)現！石墨烯的新邊界！

石墨烯作為一種由單層碳原子構成的二維材料，憑借其卓越的電子性質引起了廣泛關注。科學家一直在積極研究石墨烯的邊界態(tài)，這些邊界態(tài)展現了獨特的能帶結構、拓撲性...

2023-08-21 標簽：石墨烯晶格二維材料 1.3k 0