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      標(biāo)簽　>　晶圓

      晶圓

      +關(guān)注52人關(guān)注

      晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

      文章：5164個(gè) 瀏覽：131465次 帖子：108個(gè)

      晶圓技術(shù)

      3D晶圓鍵合裝備的工藝過程及研發(fā)現(xiàn)狀

      設(shè)備由MEMS領(lǐng)域應(yīng)用轉(zhuǎn)化到3D集成技術(shù)領(lǐng)域，表現(xiàn)出高對(duì)準(zhǔn)精度特點(diǎn)。大多數(shù)對(duì)準(zhǔn)、鍵合工藝都源于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）制造技術(shù)，但應(yīng)用于3D集成的對(duì)準(zhǔn)精度...

      2023-04-20 標(biāo)簽：集成電路晶圓光刻 6.6k 0

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      這是一種晶圓鍵合方法，其中兩個(gè)表面之間的粘附是由于兩個(gè)表面的分子之間建立的化學(xué)鍵而發(fā)生的。

      2023-04-20 標(biāo)簽：CMOS晶圓TLP 5.6k 0

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      為了提高鍍鎳層的粘附性，從而降低接觸電阻率，介紹了兩種分離的鍍鎳工藝，即“兩步鍍鎳”。在這個(gè)過程中，證明了接觸電阻率約為0.6 mΩcm2的窄而銳利的譜...

      2023-04-19 標(biāo)簽：太陽(yáng)能半導(dǎo)體晶圓 2.6k 0

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      回顧過去五六十年，先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來提升。 提升的主要?jiǎng)恿碜匀龢O管數(shù)量的增加來實(shí)現(xiàn)，而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的...

      2023-04-19 標(biāo)簽：芯片三極管晶圓 2.6k 0

      芯片封測(cè)的主要工藝流程有哪些

      封測(cè)主要包括了封裝和測(cè)試兩個(gè)環(huán)節(jié)，從價(jià)值占比上來看，集成電路封裝環(huán)節(jié)價(jià)值占比約為80%，測(cè)試環(huán)節(jié)價(jià)值占比約為15%。

      2023-04-18 標(biāo)簽：集成電路晶圓IC設(shè)計(jì) 1.0萬 0

      陶瓷封裝優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)及工藝流程分享

      芯片設(shè)計(jì)公司對(duì)其多目標(biāo)的IC需進(jìn)行快速封裝，其封裝能在不需繁雜的專業(yè)處理即可直接分析，甚至提供用戶進(jìn)行試用評(píng)價(jià)，在目前高可靠的封裝方面其首選是陶瓷封裝。

      2023-04-18 標(biāo)簽：晶圓IC設(shè)計(jì) 4.6k 0

      整流橋使用注意事項(xiàng)

      整流橋使用注意事項(xiàng)

      整流橋的功能是將交流電變成直流電，上圖中的Vi即交流電壓，在Vi的正半周期，整流橋內(nèi)部的二極管D1、D4導(dǎo)通，其上有電流通過。 二極管D2、D3截止，其...

      2023-04-15 標(biāo)簽：二極管控制器晶圓 4.6k 0

      關(guān)于半導(dǎo)體制造的封裝技術(shù)和分布情況

      任何低于90%的成品率都是有問題的。但芯片制造商只有通過反復(fù)吸取昂貴的教訓(xùn)，在此基礎(chǔ)上不斷提高對(duì)芯片制造的認(rèn)識(shí)，才能超越這個(gè)90%成品率的水平線。

      2023-04-14 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓芯片設(shè)計(jì) 936 0

      芯片封裝簡(jiǎn)介

      半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過測(cè)試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個(gè)芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護(hù)半導(dǎo)體...

      2023-04-13 標(biāo)簽：芯片pcb半導(dǎo)體 2.4k 0

      AI芯片新選擇，憶阻器的作用

      CMOS 晶體管有助于控制二維憶阻器上的電流。這有助于實(shí)現(xiàn)憶阻器約 500 萬次開關(guān)周期的耐用性，與現(xiàn)有的電阻式 RAM和相變存儲(chǔ)器大致相當(dāng)。如果沒有 ...

      2023-04-11 標(biāo)簽：CMOS晶圓神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 1.6k 0

      芯片封裝的主要五個(gè)步驟介紹

      引線鍵合步驟完成后，就該進(jìn)行成型步驟了。注塑完成所需形狀的芯片封裝，并保護(hù)半導(dǎo)體集成電路免受熱和濕氣等物理因素的影響。使用環(huán)氧樹脂密封引線鍵合芯片，這樣...

      2023-04-11 標(biāo)簽：集成電路晶圓芯片封裝 7.7k 0

      MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例

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      MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...

      2023-04-10 標(biāo)簽：ledMOSFET晶圓 1k 0

      半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝介紹

      金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。

      2023-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓HKMG 6.1k 0

      探秘電池生產(chǎn)過程中電極片的單雙張檢測(cè)

      電池由正極、負(fù)極和隔膜組成，其電極片非常薄，在電池生產(chǎn)過程中，將正負(fù)極片裁成需求尺寸大小，通過真空吸盤從堆棧中抓取，隨后將正極片、隔膜、負(fù)極片疊合成小電芯單體

      2023-04-07 標(biāo)簽：接收器晶圓發(fā)射器 1.7k 0

      TSV核心技術(shù)：深硅刻蝕和電鍍

      肖特基的硅片上制作孔專利 此后， IBM開始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。

      2023-04-06 標(biāo)簽：集成電路IBM摩爾定律 4k 0

      Wafer晶圓半導(dǎo)體工藝介紹

      芯片上的IC管芯被切割以進(jìn)行管芯間連接，通過引線鍵合連接外部引腳，然后進(jìn)行成型，以保護(hù)電子封裝器件免受環(huán)境污染（水分、溫度、污染物等）；保護(hù)芯片免受機(jī)械...

      2023-04-06 標(biāo)簽：芯片晶圓Wafer 8.9k 0

      晶圓劃片工藝流程及原理

      通常來說，對(duì)于小芯片減薄劃片時(shí)使用UV膜，對(duì)于大芯片減薄劃片時(shí)使用藍(lán)膜，因?yàn)?，UV膜的粘性可以使用紫外線的照射時(shí)間和強(qiáng)度來控制，防止芯片在抓取的過程中漏...

      2023-04-03 標(biāo)簽：芯片晶圓半導(dǎo)體晶圓 6.2k 0

      濕清洗過程中硅晶片表面顆粒去除

      濕清洗過程中硅晶片表面顆粒去除

      在整個(gè)晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用...

      2023-03-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 3k 0

      高頻探針卡的定義、原理、種類、適用范圍以及使用注意事項(xiàng)

      高頻探針卡是芯片、晶圓測(cè)試中的重要工具，它可以將高頻信號(hào)從芯片中提取出來并進(jìn)行分析，是芯片、晶圓測(cè)試世界中的神器。

      2023-03-27 標(biāo)簽：晶圓探針探針卡 3.4k 0

      芯片劃片工藝流程及劃片工藝關(guān)鍵點(diǎn)解析

      晶圓切割時(shí)，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和先進(jìn)對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。

      2023-03-23 標(biāo)簽：芯片晶圓劃片機(jī) 7k 0

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