淺談半導體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料...

2023-06-28 標簽：半導體等離子體晶圓 2k 0

晶圓臨時鍵合及解鍵合工藝技術介紹

InP 材料在力學方面具有軟脆的特性，導致100 mm（4 英寸）InP 晶圓在化合物半導體工藝中有顯著的形變和碎裂的風險；同時，InP 基化合物半導體...

2023-06-27 標簽：半導體晶圓半導體工藝 1.8萬 0

在超純晶圓上堆疊超高純層的外延技術

廣義而言，半導體基板即為晶圓。我們可以直接在晶圓表面堆疊晶體管，即半導體電路的基本元件，也可以構建新的一層，將其作為基板并在上面形成器件。特別是用于通信...

2023-06-26 標簽：半導體晶圓晶體管 999 0

半導體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標簽：半導體晶圓光刻 2.8k 0

橫向型與垂直型MOSFET簡介

橫向型MOSFET，又稱之為橫向導電型的MOSFET，結構如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底之間的方向。

2023-06-25 標簽：MOSFET晶圓電壓源 5k 1

一文詳解晶圓級封裝技術

傳統(tǒng)上，IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線以鍵合的方式把芯片上的I／O連至封裝載體并經(jīng)封裝引腳來實現(xiàn)。隨著IC芯片特征尺寸的縮小和集成規(guī)模的擴大，I／...

2023-06-25 標簽：元器件晶圓封裝技術 4.8k 0

如何在中試線上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底？

從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降...

2023-06-20 標簽：半導體晶圓SiC 2.9k 0

1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能

1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應用于新能源光伏和集中式儲能、大功率工業(yè)電機變頻及伺服、新能源車電驅等重要系統(tǒng)中。在這些應用系統(tǒng)中，I...

2023-06-20 標簽：模塊大功率晶圓 3.8k 0

半導體八大工藝之刻蝕工藝：干法刻蝕

在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。

2023-06-20 標簽：半導體晶圓蝕刻 1.5萬 0

科普：OCV、AOCV、POCV、LVF

這一期我們來討論一些名詞，就是標題里滿滿當當?shù)挠⑽膯卧~。當然，其中最核心也是最基本的，就是OCV。什么是OCV？它又有什么含義呢？或許后端的朋友們對它相...

2023-06-19 標簽：芯片晶圓晶體管 1.8萬 0

先進封裝之面板芯片級封裝(PLCSP)簡介

今天我們來介紹PLCSP（Panel Level Chip Scale Packaging）。同理，PLCSP是一種將面板級封裝（PLP）和芯片尺寸封裝...

2023-06-19 標簽：芯片pcb晶圓 2.4k 0

國產(chǎn)CVD設備在4H-SiC襯底上的同質外延實驗

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標簽：新能源汽車晶圓SiC 2.3k 0

技術前沿：凸塊制造技術——顯示驅動芯片封測核心量產(chǎn)工藝

顯示驅動芯片是顯示面板成像系統(tǒng)的重要組成部分之一，目前常見的顯示驅動芯片包括LCD驅動芯片和OLED驅動芯片。LCD驅動芯片通過接收控制芯片輸出的指令，...

2023-06-19 標簽：晶圓驅動芯片封測 6.1k 0

步進式***在碲鎘汞紅外芯片工藝中的應用以及取得的效果

光刻是制備碲鎘汞紅外探測器芯片過程中非常關鍵的工藝。

2023-06-18 標簽：晶圓紅外探測器光刻機 2.1k 0

利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術...

2023-06-15 標簽：半導體晶圓SiGe 1.6k 0

?晶圓直接鍵合及室溫鍵合技術研究進展

晶圓直接鍵合技術可以使經(jīng)過拋光的半導體晶圓，在不使用粘結劑的情況下結合在一起，該技術在微電子制造、微機電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領域具有廣泛...

2023-06-14 標簽：集成電路半導體晶圓 3.1k 0

"探索射頻探針的輝煌歷程：從發(fā)展史到國內品牌迪賽康的創(chuàng)新突破"

Reed Gleason和Eric Strid的工作為射頻探針的進一步發(fā)展鋪平了道路。他們在Tektronix工作期間發(fā)明了第一臺高頻晶圓探針，這項創(chuàng)新...

2023-06-13 標簽：射頻晶圓探針 4.2k 0

什么是硅片或者晶圓？硅晶圓的工作原理

太陽能電池需要硅晶片來提高效率并吸收更多的陽光。經(jīng)常使用非晶硅、單晶硅和碲化鎘等材料。Floating Zone 方法等制造工藝可將太陽能電池效率提高近...

2023-06-12 標簽：太陽能電池晶圓硅晶圓 5.2k 0

半導體制程前端技術的概覽和氧化工藝

MOSFET結構的核心就是柵極（Gate）。MOSFET與BJT晶體管不同，柵極不與電流溝道（S與D的中間部分）直接接觸，只是“間接”發(fā)揮作用。

2023-06-11 標簽：電子元器件MOSFET晶圓 2.7k 0

BGA封裝及晶圓切割工藝解析

將從晶圓廠出來的Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到 封裝需要的厚度（5mils~10mils）； 磨片時，需要在正面（Active Area...

2023-06-09 標簽：晶圓BGA 4.8k 0