Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒(méi)有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 2.9k 0

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標(biāo)簽：晶圓工藝離子注入 1.7k 0

晶圓切割技術(shù)知識(shí)大全

晶圓切割劃片技術(shù)作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其技術(shù)水平直接關(guān)聯(lián)到芯片的性能、良率及生產(chǎn)成本。

2024-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù) 3k 0

晶圓上的‘凸’然驚喜：甲酸回流工藝大揭秘

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓級(jí)凸點(diǎn)制作是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)于提高集成電路的集成度和性能具有重要意義。其中，甲酸回流工藝作為一種重要的凸點(diǎn)制作方法，因其具有工藝簡(jiǎn)...

2024-11-07 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體封裝回流 2.3k 0

多晶硅柵工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的，它是通過(guò)后續(xù)的源漏離子注入進(jìn)...

2024-11-07 標(biāo)簽：晶圓工藝MOS 2.2k 0

系統(tǒng)級(jí)封裝工藝流程說(shuō)明

摘要：在智能手機(jī)、TWS耳機(jī)、智能手表等熱門(mén)小型化消費(fèi)電子市場(chǎng)帶動(dòng)下，SiP（System in a Package系統(tǒng)級(jí)封裝）迎來(lái)了更大的發(fā)展機(jī)會(huì)。根...

2024-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiP 2.9k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，柵氧化層工藝是通過(guò)熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.1k 0

晶圓封裝過(guò)程缺陷解析

在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓測(cè)試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時(shí)封裝過(guò)程中的缺陷對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個(gè)方面進(jìn)行介紹。

2024-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 1.6k 0

CP測(cè)試與FT測(cè)試的區(qū)別

在集成電路（IC）制造與測(cè)試過(guò)程中，CP（ChipProbing，晶圓探針測(cè)試）和FT（FinalTest，最終測(cè)試）是兩個(gè)重要的環(huán)節(jié)，它們承擔(dān)了不同的...

2024-11-02 標(biāo)簽：集成電路測(cè)試晶圓 1.8k 0

STI隔離工藝的制造過(guò)程

STI 隔離工藝是指利用氧化硅填充溝槽，在器件有源區(qū)之間嵌入很厚的氧化物，從而形成器件之間的隔離。利用STI 隔離工藝可以改善寄生場(chǎng)效應(yīng)晶體管和閂鎖效應(yīng)。

2024-11-01 標(biāo)簽：晶圓工藝晶體管 2.9k 0

有源區(qū)工藝的制造過(guò)程

有源區(qū)工藝是指通過(guò)刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.7k 0

GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝

GaAs晶圓作為常用的一類(lèi)晶圓，在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類(lèi)晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過(guò)程中需要關(guān)注的點(diǎn)。

2024-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓GaAs 1.8k 0

混合鍵合的基本原理和優(yōu)勢(shì)

混合鍵合（Hybrid Bonding）是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成，無(wú)需傳統(tǒng)的焊料凸點(diǎn)。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法...

2024-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 3.6k 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來(lái)。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長(zhǎng)的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.3k 0

淺談芯片制造的完整流程

在科技日新月異的今天，芯片作為信息技術(shù)的核心部件，其制作工藝的復(fù)雜性和精密性令人嘆為觀止。從一粒普通的沙子到一顆蘊(yùn)含無(wú)數(shù)晶體管的高科技芯片，這一過(guò)程不僅...

2024-10-28 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2.6k 0

先進(jìn)封裝技術(shù)的類(lèi)型簡(jiǎn)述

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，先進(jìn)封裝作為后摩爾時(shí)代全球集成電路的重要發(fā)展趨勢(shì)，正日益受到廣泛關(guān)注。受益于AI、服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)電子等下游強(qiáng)勁需求，半...

2024-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓封裝技術(shù) 2.2k 0

玻璃通孔技術(shù)的形成方法

3D IC的出現(xiàn)加速了對(duì)具有中介層功能的高密度I/O、低電損耗和低成本的需求。傳統(tǒng)的有機(jī)中介層由于尺寸穩(wěn)定性差、CTE不匹配和光刻限制而無(wú)法滿(mǎn)足此類(lèi)需求...

2024-10-28 標(biāo)簽：芯片晶圓3D封裝 1.2k 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類(lèi)似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來(lái)。

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.3k 0

濕法蝕刻的發(fā)展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類(lèi)似于前氧化清潔沖洗干燥過(guò)程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時(shí)間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終...

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 822 0

一片晶圓可以切出多少芯片

作為一名芯片工程師，經(jīng)常跟回來(lái)的wafer打交道，你知道一片成品的wafer具體有哪些部分組成嗎?

2024-10-23 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 5.5k 0