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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料,鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大,但由于速度較慢、不耐熱等缺點(diǎn),在八十年代初就被硅基管給取代了,一直到現(xiàn)今...
2023-12-20 標(biāo)簽:晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件 436 0
IC的片內(nèi)和片間非均勻性是什么?有什么作用呢? IC的片內(nèi)和片間非均勻性是指在IC設(shè)計(jì)和制造的過(guò)程中,芯片內(nèi)部或芯片之間出現(xiàn)的性能或結(jié)構(gòu)的不均勻分布現(xiàn)象...
2023-12-19 標(biāo)簽:集成電路IC設(shè)計(jì)晶體管 1.2k 0
金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究
GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注,近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。
意法半導(dǎo)體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片
2023年12月15日,中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬...
2023-12-15 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 1.5k 0
臺(tái)積電1.4nm制程工藝研發(fā)持續(xù),預(yù)計(jì)2027-2028年量產(chǎn)
此外,對(duì)于臺(tái)積電的1.4nm制程技術(shù),媒體預(yù)計(jì)其名稱為A14。從技術(shù)角度來(lái)看,A14節(jié)點(diǎn)可能不會(huì)運(yùn)用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CFET)技術(shù)。
選擇處理器的幾個(gè)關(guān)鍵因素? 選擇處理器時(shí),有幾個(gè)關(guān)鍵因素需要考慮。這些因素包括處理器的性能、功耗、價(jià)格、架構(gòu)和生產(chǎn)工藝。 首先,性能是選擇處理器的首要考...
東哲郎強(qiáng)調(diào),半導(dǎo)體市場(chǎng)正朝著具有特定功能的產(chǎn)品,而不是以通用型芯片的方向來(lái)發(fā)展,Rapidus希望能夠在這個(gè)過(guò)渡期搶進(jìn)市場(chǎng)當(dāng)中,并能夠得到日本半導(dǎo)體設(shè)備...
臺(tái)積電1.4nm工藝研發(fā)全面啟動(dòng),2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)
SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示,臺(tái)積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前,關(guān)于該節(jié)點(diǎn)的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫...
2023-12-14 標(biāo)簽:臺(tái)積電節(jié)點(diǎn)晶體管 1.1k 0
東哲郎強(qiáng)調(diào),Rapidus位于北海道的項(xiàng)目無(wú)疑將取得成功,預(yù)計(jì)在2027~2028年間,科技走向?qū)?huì)發(fā)生根本性轉(zhuǎn)變。日本官方已經(jīng)向Rapidus注資數(shù)千...
EV集團(tuán)將層轉(zhuǎn)移技術(shù)引入大批量制造
來(lái)源:Silicon Semiconductor 紅外激光切割技術(shù)能夠以納米精度從硅襯底上進(jìn)行超薄層轉(zhuǎn)移,徹底改變了先進(jìn)封裝和晶體管縮放的3D集成。 E...
打響2nm訂單爭(zhēng)奪戰(zhàn)!半導(dǎo)體巨頭競(jìng)相爭(zhēng)取
目前,高通和英偉達(dá)的高端芯片主要依賴于臺(tái)積電進(jìn)行代工。然而,對(duì)于這些芯片巨頭公司來(lái)說(shuō),多元化的晶圓代工是一項(xiàng)戰(zhàn)略要?jiǎng)?wù),以降低對(duì)特定供應(yīng)商的依賴性。
納微半導(dǎo)體GeneSiC起源與SiC的未來(lái)
GeneSiC 在滿足汽車(chē)行業(yè)需求的經(jīng)驗(yàn)還包括開(kāi)發(fā)快速充電站解決方案,這對(duì) EV 的快速普及至關(guān)重要。以 SK Signet 最近設(shè)計(jì)的額定 350kW...
英特爾深度解析其芯片技術(shù)創(chuàng)新,引領(lǐng)全球芯片科技潮流
眾所周知,晶體管微縮和背面供電是英特爾滿足快速增長(zhǎng)的算力市場(chǎng)需求的關(guān)鍵所在。雖然面臨著困境和挑戰(zhàn),例如成本壓力,但英特爾堅(jiān)定不移地推動(dòng)著自己的發(fā)展計(jì)劃,...
晶體管三種接法的特點(diǎn)? 晶體管是一種常見(jiàn)的電子元器件,具有開(kāi)關(guān)和放大功能。根據(jù)不同的接法,晶體管的特點(diǎn)也會(huì)有所不同。一般來(lái)說(shuō),晶體管的接法分為共集電極、...
過(guò)去數(shù)十年里,芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)始終專(zhuān)注于小型化。減小晶體管體積,能降低功耗并提升處理性能。如今,2nm及3nm已取代實(shí)際物理尺寸,成為描述新一代芯片的關(guān)鍵指標(biāo)。
2023-12-12 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)晶體管2nm 1.3k 0
英特爾宣布完成PowerVia背面供電技術(shù)的開(kāi)發(fā)
英特爾在2023年國(guó)際電子設(shè)備制造大會(huì)上宣布,他們已經(jīng)成功完成了一項(xiàng)名為PowerVia的背面供電技術(shù)的開(kāi)發(fā)。這個(gè)技術(shù)是基于英特爾的最新晶體管研究成果,...
?GaN半導(dǎo)體技術(shù)及其在電子領(lǐng)域的前景
當(dāng)前各種氮化鎵技術(shù)正在加速向200mm過(guò)渡,以期降低生產(chǎn)成本,使氮化鎵寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)在混合型和全電動(dòng)汽車(chē)、消費(fèi)電子產(chǎn)品、智能手機(jī)以及其他產(chǎn)品的制造...
2023-12-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體晶體管 1.7k 0
英特爾展示下一代晶體管微縮技術(shù)突破,將用于未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)
在IEDM 2023上,英特爾展示了結(jié)合背面供電和直接背面觸點(diǎn)的3D堆疊CMOS晶體管,這些開(kāi)創(chuàng)性的技術(shù)進(jìn)展將繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律。
獨(dú)立顯示芯片的原理 獨(dú)立顯示芯片有什么作用?
獨(dú)立顯示芯片的原理 獨(dú)立顯示芯片有什么作用? 獨(dú)立顯示芯片(Discrete Display Chip)是一種用于圖形顯示的集成電路(IC),通常由多個(gè)...
2023-12-11 標(biāo)簽:集成電路晶體管模數(shù)轉(zhuǎn)換器 3.4k 0
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