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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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臺(tái)積電:規(guī)劃1萬(wàn)億晶體管芯片封裝策略
為達(dá)成此目標(biāo),公司正加緊推進(jìn)N2和N2P級(jí)別的2nm制造節(jié)點(diǎn)研究,并同步發(fā)展A14和A10級(jí)別的1.4nm加工工藝,預(yù)計(jì)到2030年可以實(shí)現(xiàn)。此外,臺(tái)積...
英特爾:2030年前實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝內(nèi)集成1萬(wàn)億個(gè)晶體管
12月9日,英特爾在IEDM 2023(2023 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議)上展示了使用背面電源觸點(diǎn)將晶體管縮小到1納米及以上范圍的關(guān)鍵技術(shù)。英特爾表...
CMOS 邏輯由至少兩個(gè)晶體管組成:一個(gè) n 溝道 MOS FET 和一個(gè) p 溝道 MOS FET。晶體管數(shù)量最少的邏輯電路是反相器(邏輯反相電路),...
半導(dǎo)體行業(yè)將從設(shè)備時(shí)代過(guò)渡到材料時(shí)代
美國(guó)耗材制造商Entegris的首席技術(shù)官James O‘Neill指出,現(xiàn)如今,控制“更為精密”半導(dǎo)體工藝技術(shù)的責(zé)任已悄然轉(zhuǎn)移至先進(jìn)的硅晶圓加工材料及...
Intel 14代酷睿非K系列型號(hào)即將發(fā)布
首批六款K系列型號(hào)之后,Intel將在2024年1月7日,也就是大戰(zhàn)期間,正式解禁14代酷睿的非K系列型號(hào)。
由于中科二期擴(kuò)建先前已獲臺(tái)中市都市計(jì)劃委員會(huì)通過(guò)變更案,內(nèi)政部昨天審議通過(guò),符合臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)期,因此公司除了感謝相關(guān)單位協(xié)助外,不對(duì)此案后續(xù)規(guī)劃做任何回應(yīng)。
半導(dǎo)體行業(yè)邁入"材料時(shí)代",創(chuàng)新材料至關(guān)重要
他強(qiáng)調(diào)了材料領(lǐng)域的創(chuàng)新對(duì)于提升半導(dǎo)體元件生產(chǎn)效率至關(guān)重要。對(duì)此,默克集團(tuán)電子業(yè)務(wù)總經(jīng)理凱·貝克曼 (Kai Beckmann) 亦持相同看法,并贊同未來(lái)...
英飛凌科技推出集成溫度傳感器全新CoolMOS S7T產(chǎn)品系列
SSR是各種電子設(shè)備的基本配置,如果能夠?qū)鞲衅骱统Y(jié) MOSFET集成到同一封裝中,客戶便可以獲得多方面的好處。
在經(jīng)歷了近十年和五個(gè)主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后,半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 FinFET過(guò)渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對(duì)于FinFE...
英特爾CEO基辛格:摩爾定律放緩,仍能制造萬(wàn)億晶體
帕特·基辛格進(jìn)一步預(yù)測(cè),盡管摩爾定律顯著放緩,到2030年英特爾依然可以生產(chǎn)出包含1萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片。這將主要依靠新 RibbonFET晶體管、Pow...
IBM發(fā)布首款專為液氮冷卻設(shè)計(jì)的CMOS晶體管
IBM突破性研發(fā)的納米片晶體管,通過(guò)將硅通道薄化切割為納米級(jí)別的薄片,再用柵極全方位圍繞,實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)控電。此結(jié)構(gòu)使得在指甲蓋大小空間內(nèi)可容納最多達(dá)50...
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興...
面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢(shì)
近年來(lái),SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問(wèn)題依然存在。
2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器晶體管 2k 0
英特爾CEO基辛格:摩爾定律仍具生命力,且仍在推動(dòng)創(chuàng)新
摩爾定律概念最早由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在1970年提出,明確指出芯片晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环5靡嬗谛鹿?jié)點(diǎn)密度提升及大規(guī)模生產(chǎn)芯片的能力。
英特爾希望在2024年超越其芯片制造競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手
過(guò)去五年來(lái),英特爾在先進(jìn)芯片制造方面一直落后于臺(tái)積電和三星?,F(xiàn)在,為了重新奪回領(lǐng)先地位,該公司正在采取大膽且冒險(xiǎn)的舉措,在其臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦Arrow...
增強(qiáng)GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用
熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要,而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
信號(hào)發(fā)生器接晶體管放大電路的方法與技巧 一、引言 在電子設(shè)備中,信號(hào)發(fā)生器是一種能夠產(chǎn)生穩(wěn)定、準(zhǔn)確信號(hào)的儀器,常常用于測(cè)試和校準(zhǔn)其他電子設(shè)備。而放大電路...
SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅(SiC)材料制造的電子元件,它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯...
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