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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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CCD圖像傳感器TC237B的主要特點、引腳功能及應(yīng)用
在圖像感光區(qū)的左部,每行有22個像素被金屬遮光屏覆蓋。這些暗像素可以為圖像的后繼處理電路提供黑參考電平。除此以外,在圖像感光區(qū)和圖像存儲區(qū)間有4行像素同...
通過100V增強型氮化鎵晶體管實現(xiàn)直直變換器設(shè)計方案
在當今的架構(gòu)中,通過采用12V的背板,工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來滿足高開關(guān)頻率,傳輸高效率以及高功率密度。
工作于開關(guān)狀態(tài)的晶體管由于電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt而產(chǎn)生瞬態(tài)過電流和瞬態(tài)過電壓,這種現(xiàn)象稱為電應(yīng)力。電應(yīng)力的本質(zhì)是瞬時功耗的集中。這種...
2021-03-21 標簽:晶體管 5.1k 0
基于陰極跟隨器和SRPP電路實現(xiàn)電子管耳機放大器的設(shè)計
輸入級采用一只電子管三極管構(gòu)成的共陰極放大電路,其電路原理圖如圖1所示。圖中電阻RL1,Rk1和Rg1分別同電子管的陽極、陰極和柵極相連接,使電子管建立...
基于VMA系列功放模塊實現(xiàn)音頻功放電路的設(shè)計
音頻功率放大器可以說是電子行業(yè)一個歷久彌新的領(lǐng)域了。從器件類型上來說,經(jīng)歷了電子管、晶體管、集成電路以及混合電路等發(fā)展歷程;從電路形式上來說,有A類、B...
帶隙型穩(wěn)壓電路能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)使得溫度系數(shù)接近于0,以達到很好的穩(wěn)壓效果。在此,為了從數(shù)學上詳細推導分析這類電路的工作原理,我準備對這個過程中的每...
使用AD584電壓參考和晶體管實現(xiàn)大功率并聯(lián)穩(wěn)壓器的設(shè)計
可通過將VIN和VOUT連接在一起或使VIN保持開路的方式,將一些電壓參考用作并聯(lián)穩(wěn)壓器。但是,此類器件僅可在低電流情況下(典型限值約為10mA)使用。...
電子產(chǎn)品設(shè)計日益輕薄,使得電源模塊亦須提升切換頻率以縮小體積。藉由傅里葉級數(shù)頻域分析,研發(fā)人員將可掌握切換式降壓轉(zhuǎn)換器電源模塊輸出端漣波變化量,從而搭配...
基于LinkSwitch-4開關(guān)IC提高基于BJT的方案的可靠性
眾所周知,與MOSFET相比,雙極性結(jié)式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下,當...
通過IGBT簡化裸片溫度計算方法優(yōu)化應(yīng)用系統(tǒng)性能
大多數(shù)半導體組件結(jié)溫的計算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計算外...
使用運放向負載電阻輸出電流實現(xiàn)微安級恒流源的電路設(shè)計
恒流源在各種測量電子電路和傳感器電子電路中應(yīng)用廣泛,是開關(guān)電源、信號檢測和功率放大等場合中不可替代的測試單元。微安級數(shù)控恒流源更是廣泛地應(yīng)用于智能儀器和...
基于新型二階曲率補償方法實現(xiàn)基準電壓源的設(shè)計
基準電壓是集成電路設(shè)計中的一個重要部分,特別是在高精度電壓比較器、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)以及A/D和 D/A轉(zhuǎn)換器等中,基準電壓隨溫度和電源電壓波動而產(chǎn)生的變化將...
便攜式電子系統(tǒng)中甲乙類存儲單元的應(yīng)用及設(shè)計方案
采用HSPICE分別對設(shè)計的存儲單元、延遲單元和積分器電路進行了仿真,晶體管模型選用TSMC0.18μm標準數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V;輸入電流i...
采用曲率補償技術(shù)實現(xiàn)高抑制比的電壓基準電路的設(shè)計
雙極晶體管的基極-發(fā)射極電壓VBE(PN結(jié)二極管的正向電壓),具有負溫度系數(shù),其溫度系數(shù)在室溫下-2.2 mV/K。而熱電壓VT具有正溫度系數(shù),其溫度系...
2021-02-02 標簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 3k 0
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導致的電流不可控現(xiàn)象,當然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
基于深亞微米VLSI的物理驗證可實現(xiàn)加快芯片研發(fā)速度
進行LVS驗證的設(shè)置較為復雜,除了與DRC類似的對foundry提供的runset文件進行設(shè)置外,還要提取verilog網(wǎng)表,進行網(wǎng)表轉(zhuǎn)換(netTra...
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