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晶體管

晶體管

+關(guān)注78人關(guān)注

晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

基本的恒流源電路分析

LED電源的工程師經(jīng)常提及“恒流”驅(qū)動(dòng),其實(shí),在很多電子設(shè)備中,有許多用電設(shè)備要求供給的電流(而不是電壓)保持恒定。一般把這種能夠向負(fù)載提供恒定電流的電...

2022-09-19 標(biāo)簽:led晶體管恒流源 4.3k 0

三種繼電器電路原理圖

摘要: 如圖所示連接兩個(gè)NPN晶體管,使得第一晶體管TR1的發(fā)射極電流變?yōu)榈诙w管TR2的基極電流。向TR1施加正基極電流會(huì)自動(dòng)使開(kāi)關(guān)晶體管TR2 “...

2022-09-19 標(biāo)簽:繼電器原理圖晶體管 8.2k 0

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的概念及種類(lèi)

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的概念及種類(lèi)

眾所周知,大多數(shù)直流電源包括一個(gè)大而重的降壓電源變壓器、整流二極管(全波或半波)和一個(gè)濾波電路,用于從整流后的直流中去除任何紋波,以產(chǎn)生適當(dāng)平滑的直流輸出電壓。

2022-09-15 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器晶體管直流電源 2.7k 0

BJT的工作原理及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

貝爾實(shí)驗(yàn)室的 Bardeen 和 Brattain于 1947 年發(fā)明了點(diǎn)接觸晶體管, Shockley 于 1948 年發(fā)明了雙極結(jié)型晶體管。為表彰這...

2022-09-15 標(biāo)簽:晶體管BJT 1.3萬(wàn) 0

如何計(jì)算硅的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)

Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...

2022-09-14 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件電子結(jié)構(gòu) 4k 0

傳統(tǒng)功率MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別

超級(jí)結(jié)又稱超結(jié),是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù),其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗...

2022-09-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管電流驅(qū)動(dòng) 9k 0

SOI工藝的廣泛應(yīng)用

絕緣體上硅(SOI)硅片由頂層硅膜、埋氧層和硅襯底三部分組成。

2022-09-13 標(biāo)簽:集成電路晶體管SOI 4k 0

耗盡型MOSFET的基本概念及主要類(lèi)型

耗盡型MOSFET的基本概念及主要類(lèi)型

眾所周知,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字...

2022-09-08 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 1.0萬(wàn) 0

Class-D功放電路如何選擇比較好的國(guó)產(chǎn)廠商進(jìn)行替代

對(duì)于Class-D功放電路的電子元器件使用,在MOS管領(lǐng)域會(huì)有哪一款產(chǎn)品比較適合應(yīng)用于該場(chǎng)景呢?是否有比較好的代換型號(hào)?

2022-09-08 標(biāo)簽:功放功放電路MOS管 2.9k 0

實(shí)現(xiàn)可編程邏輯電路的三種主要技術(shù)

實(shí)現(xiàn)可編程邏輯電路可以選擇三種主要的技術(shù),它們有兩種主要的特性:是否可重新編程以及是否易失。我們將介紹三種主要的器件,它們是支持可編程電路的技術(shù)基礎(chǔ): ...

2022-09-08 標(biāo)簽:邏輯電路sram晶體管 2.9k 0

實(shí)現(xiàn)可編程邏輯電路的三種主要器件

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2022-09-08 標(biāo)簽:電流晶體管可編程邏輯 5.6k 0

電子通信領(lǐng)域這些常見(jiàn)的定律:庫(kù)梅定律 vs 摩爾定律

英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出摩爾定律:當(dāng)價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個(gè)月便會(huì)...

2022-09-08 標(biāo)簽:摩爾定律單芯片物聯(lián)網(wǎng) 2.1k 0

電子保險(xiǎn)絲的工作原理及其有效使用情況

熱保險(xiǎn)絲作為一種基本的電路保護(hù)器件,已經(jīng)成功使用了150多年。熱保險(xiǎn)絲有效、可靠、易用,具有各種不同的數(shù)值和版本,能夠滿足不同的設(shè)計(jì)目標(biāo)。然而,對(duì)于尋求...

2022-09-08 標(biāo)簽:電阻器保險(xiǎn)絲晶體管 4.4k 0

電磁繼電器基礎(chǔ)知識(shí)

電磁繼電器是一種由電路控制的物理機(jī)械開(kāi)關(guān)。電路控制電磁鐵,電磁鐵控制開(kāi)關(guān)。有不同類(lèi)型的繼電器,但它們都以大致相似的方式工作。

2022-09-07 標(biāo)簽:繼電器晶體管電磁繼電器 3.5k 0

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基于晶體管的自舉放大器電路

放大器是電子產(chǎn)品的組成部分,用于放大低幅度信號(hào)。放大器在增強(qiáng)信號(hào)方面起著非常重要的作用,特別是在音頻和電力電子方面。我們之前制作了許多類(lèi)型的放大器,包括...

2022-09-05 標(biāo)簽:放大器電路晶體管bootstrap 7.6k 1

簡(jiǎn)單的曲線跟蹤器電路解析

簡(jiǎn)單的曲線跟蹤器電路解析

大多數(shù)電子產(chǎn)品都處理跟蹤曲線,無(wú)論是反饋回路的特性傳遞曲線、電阻器的直線 VI 線還是晶體管的集電極電壓與電流曲線。

2022-09-05 標(biāo)簽:二極管晶體管跟蹤器 2.4k 0

美國(guó)國(guó)會(huì)授權(quán)被稱為芯片法案的計(jì)劃,美半導(dǎo)體領(lǐng)域地位或迎新機(jī)遇

計(jì)量學(xué)是我們應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體制造商所面臨挑戰(zhàn)的能力的基礎(chǔ)。進(jìn)行投資今天計(jì)量能力的提高將為未來(lái)的技術(shù)需求提供保障,并支持美國(guó)在下一代微電子領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。加快研...

2022-09-05 標(biāo)簽:晶體管微電子半導(dǎo)體制造 937 0

摩爾定律下一個(gè)十年關(guān)鍵:3D堆疊的潛在優(yōu)勢(shì)

對(duì) 3D 堆疊 CMOS 進(jìn)行所有需要的連接是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。需要從設(shè)備堆棧下方進(jìn)行電源連接。在此設(shè)計(jì)中,NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部 具有單獨(dú)的...

2022-09-05 標(biāo)簽:CMOS摩爾定律晶體管 1.2k 0

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET介紹及應(yīng)用電路

前幾天給大家講了一下晶體管BJT,今天講一下場(chǎng)效應(yīng)管-MOSFET。

2022-09-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 5.3k 0

PNP晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)

PNP晶體管可以定義為:一個(gè)n型材料摻雜有兩個(gè)p型材料,例如類(lèi)型的晶體管被稱為PNP晶體管。它是一種電流控制設(shè)備。少量的基極電流同時(shí)控制了發(fā)射極和集電極...

2022-09-05 標(biāo)簽:二極管晶體管pnp 1.0萬(wàn) 0

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