通過(guò)AI嵌入實(shí)現(xiàn)EV范圍提高多達(dá)12％

Pre-Switch通過(guò)將AI嵌入到FPGA中來(lái)解決這一挑戰(zhàn)，該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時(shí)序，如圖1所示為S1和S2。

2021-03-16 標(biāo)簽：fpgaAI開關(guān)損耗 9.9k 0

提升電源效率帶LLC的PFC常規(guī)模擬控制設(shè)計(jì)解決方案

最近幾十年，電源的效率要求發(fā)展迅猛，與曾經(jīng)教科書中描述的要求大相徑庭，實(shí)現(xiàn)既定額定條件下的高效率只是設(shè)計(jì)的第一步，而真正完全合格且具有競(jìng)爭(zhēng)力的電源設(shè)計(jì)必...

2020-12-18 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)EMI濾波器LLC 6.3k 0

關(guān)于開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗問(wèn)題探討

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)（高邊＋低邊）是對(duì)VIN和GND電壓進(jìn)行切換（ON/OFF），該過(guò)渡時(shí)間的功率乘以開關(guān)頻率后的值即開關(guān)損耗。

2020-04-06 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 2.2k 0

開關(guān)損耗的準(zhǔn)確測(cè)量

一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。

2019-07-31 標(biāo)簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗 6.8k 0

入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例

對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢(shì)，包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...

2018-07-04 標(biāo)簽：MOSFETSiC開關(guān)損耗 1.0萬(wàn) 0

開關(guān)損耗測(cè)量中時(shí)間偏移對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響分析

開關(guān)器件的功率損耗是開關(guān)器件評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是許多示波器選配的高級(jí)分析功能。事實(shí)上，雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗程度測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，...

2018-02-07 標(biāo)簽：開關(guān)損耗 1.4k 0

基于CMM下開關(guān)損耗和反激開關(guān)損耗分析以及公式計(jì)算

1、CCM 模式開關(guān)損耗 CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

2018-01-13 標(biāo)簽：cmm開關(guān)損耗 1.1萬(wàn) 0

開關(guān)電源調(diào)試一般設(shè)計(jì)要求與要求

1.變壓器飽和變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動(dòng)態(tài)負(fù)載,高溫等情

2017-09-24 標(biāo)簽：變壓器電源管理開關(guān)損耗 1.2萬(wàn) 0