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為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年,愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起...
隨著極紫外光刻(EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
本文系統(tǒng)梳理了直寫(xiě)式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑,涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面,并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾...
半導(dǎo)體選擇性外延生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展歷史
選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點(diǎn)平面CMOS中首次...
芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析
裝片工序完成后,芯片雖已穩(wěn)固于載體(基板或框架)之上,但其表面預(yù)設(shè)的焊盤(pán)尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接,因而需通過(guò)內(nèi)互聯(lián)工藝實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。
倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過(guò)程
本文介紹了倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過(guò)程以及詳細(xì)工藝等。
為了提高高密度互連印制電路板的導(dǎo)電導(dǎo)熱性和可靠性,實(shí)現(xiàn)通孔與盲孔同時(shí)填孔電鍍的目的,以某公司已有的電鍍填盲孔工藝為參考,適當(dāng)調(diào)整填盲孔電鍍液各組分濃度,...
SiC的物理特性決定了其生長(zhǎng)難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無(wú)熔點(diǎn),一旦溫度攀升至2000℃以上,便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測(cè),只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...
裝片(Die Bond)作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序,指通過(guò)導(dǎo)電或絕緣連接方式,將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引線框架載體的工藝過(guò)程。該工序兼具機(jī)械固定與電氣互聯(lián)雙...
Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車(chē)工藝上實(shí)現(xiàn)流片成功
我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車(chē)工藝上實(shí)現(xiàn)首次流片成功。這一...
概倫電子集成電路工藝與設(shè)計(jì)驗(yàn)證評(píng)估平臺(tái)ME-Pro介紹
ME-Pro是概倫電子自主研發(fā)的用于聯(lián)動(dòng)集成電路工藝與設(shè)計(jì)的創(chuàng)新性驗(yàn)證評(píng)估平臺(tái),為集成電路設(shè)計(jì)、CAD、工藝開(kāi)發(fā)、SPICE模型和PDK專業(yè)從業(yè)人員提供...
半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性,半導(dǎo)體通過(guò)參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動(dòng)。通過(guò)基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝,我們可以構(gòu)建出各種元件,如...
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開(kāi)介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對(duì)材...
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