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芯片設(shè)計(jì)中Guard Ring的構(gòu)成和作用
在芯片設(shè)計(jì)中,Guard Ring(保護(hù)環(huán)) 是一種環(huán)繞在敏感電路或器件(如模擬電路、高精度器件、存儲(chǔ)器單元、I/O驅(qū)動(dòng)器等)周圍的版圖結(jié)構(gòu),形成關(guān)鍵的...
2025-10-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝芯片設(shè)計(jì) 132 0
ProCAST仿真解決方案助力連鑄工藝設(shè)計(jì)
針對(duì)不同的連鑄需求,如方坯連鑄、板坯連鑄、圓坯連鑄,以及不同鋼種(碳鋼、不銹鋼、高合金鋼等)或有色金屬的連鑄工藝,ProCAST 提供了高度靈活的建模與...
隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入納米尺度,傳統(tǒng)體硅(Bulk CMOS)技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應(yīng)等瓶頸。SOI技術(shù)憑借埋氧層(BOX)的物理隔離優(yōu)勢(shì),成為航空航天...
集成電路采用LOCOS(Local Oxidation of Silicon)工藝時(shí)會(huì)出現(xiàn)“鳥喙效應(yīng)”(bird beak),這是一種在氧化硅生長(zhǎng)過程中...
華大九天Empyrean GoldMask平臺(tái)重構(gòu)掩模版數(shù)據(jù)處理方案
對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上的光罩廠、設(shè)計(jì)公司而言,掩模版數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié)的效率與精度,直接決定著產(chǎn)品能否如期上市、良率能否達(dá)標(biāo)、成本能否可控。當(dāng)芯片工藝向更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)跨越...
塑封是微電子封裝中的核心環(huán)節(jié),主要作用是保護(hù)封裝內(nèi)部的焊線、芯片、布線及其他組件免受外界熱量、水分、濕氣和機(jī)械沖擊的損害,同時(shí)增強(qiáng)封裝的機(jī)械強(qiáng)度,便于后...
當(dāng)前,盡管針對(duì) MEMS 器件的制備工藝與相關(guān)設(shè)備已開展了大量研究,但仍有不少 MEMS 傳感器未能實(shí)現(xiàn)廣泛的商業(yè)化落地,其中一個(gè)重要原因便是 MEMS...
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2023-08-18 標(biāo)簽:pcb工藝 579 0
研發(fā)工藝設(shè)計(jì)規(guī)范立即下載
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2022-07-27 標(biāo)簽:pcb工藝 499 0
上海立芯亮相IDAS 2025設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì)
9月15-16日,第三屆設(shè)計(jì)自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)峰會(huì)IDAS 2025在杭州國(guó)際博覽中心盛大舉行。
2025-09-18 標(biāo)簽:工藝芯片設(shè)計(jì)eda 773 0
當(dāng)客戶問為什么產(chǎn)品效率難以突破,答案往往藏在工藝細(xì)節(jié)里。新能源汽車?yán)m(xù)航提升5%、65W快充體積縮小40%,這些突破的核心在于MOS管工藝選型。
在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域,金屬鉻(Cr)因其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)和工藝兼容性而被廣泛應(yīng)用。其物理化學(xué)性質(zhì)表現(xiàn)為:具有較高的熔點(diǎn)約1907°C,良好的機(jī)...
2025-08-25 標(biāo)簽:mems工藝微機(jī)電系統(tǒng) 817 0
新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品
新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
新思科技與三星深化合作加速AI和Multi-Die設(shè)計(jì)
新思科技近日宣布,正與三星代工廠持續(xù)緊密合作,為先進(jìn)邊緣AI、HPC和AI應(yīng)用的下一代設(shè)計(jì)提供強(qiáng)大支持。雙方合作助力共同客戶實(shí)現(xiàn)復(fù)雜設(shè)計(jì)的成功流片,并縮...
Inphi借助Cadence技術(shù)完成7nm全芯片扁平化設(shè)計(jì)流片
Inphi 是高速數(shù)據(jù)移動(dòng)互連領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,致力于在全球范圍內(nèi)、數(shù)據(jù)中心之間以及數(shù)據(jù)中心內(nèi)部快速傳輸大數(shù)據(jù)。
創(chuàng)飛芯55nm BCD工藝OTP IP實(shí)現(xiàn)上架
近日,珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司宣布,其自主研發(fā)的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工藝 O...
為了提供更好的用戶體驗(yàn),包括高質(zhì)量的視頻傳輸、更新的筆記本電腦(例如最新的 AI PC)和其他前沿設(shè)備,都需要 5 納米及以下的先進(jìn)節(jié)點(diǎn) SoC,以達(dá)成...
磁致伸縮位移傳感器核心工藝涉及波導(dǎo)絲材料加工、磁環(huán)設(shè)計(jì)、電子電路集成、信號(hào)接口、EMC設(shè)計(jì)、測(cè)桿封裝及系統(tǒng)校準(zhǔn)。技術(shù)突破需解決高精度、微型化與抗干擾能力...
粒度控制在結(jié)晶過程中的從小規(guī)模試驗(yàn)到放大應(yīng)用
引言 結(jié)晶作為API生產(chǎn)的最后一道工序,除了用于純化外,還可以實(shí)現(xiàn)晶型與粒度控制。晶型和粒度影響口服藥物生物利用度。其中,粒度分布(PSD)是一個(gè)重要的...
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