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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)管
場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
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驅(qū)動電路由緩沖器U、電阻R2 及1 對小功率場效應(yīng)對管Q1 、Q2 組成。當(dāng)控制信號為低電平時,同向緩沖器U 輸出低電平,使得與+ 9 V 電源相聯(lián)的P...
2012-04-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)管驅(qū)動電路 2.0萬 0
采用兩只N溝道和兩只P溝道場效應(yīng)管的全橋驅(qū)動電路
采用兩只N溝道和兩只P溝道場效應(yīng)管的全橋驅(qū)動電路工作時,在驅(qū)動控制IC的控制下,使V4、V1同時導(dǎo)通,V2、V3同時導(dǎo)通,且V4、V1導(dǎo)通時,V2、V3...
2012-04-05 標(biāo)簽:場效應(yīng)管N溝道P溝道 1.3萬 0
僅采用四只N溝道場效應(yīng)管的 全橋驅(qū)動電路 工作時,在驅(qū)動控制Ic的控制下,使V1、V4同時導(dǎo)通,V2、V3同時導(dǎo)通,且V1、V4導(dǎo)通時,V2、V3截止,...
2012-04-05 標(biāo)簽:場效應(yīng)管N溝道全橋驅(qū)動電路 1.7萬 2
場效應(yīng)管控制工作電流的原理與普通晶體管完全不一樣,要比普通晶體管簡單得多,場效應(yīng)管只是單純地利用外加的輸入信號以改變半導(dǎo)體的電阻,實際上是改變工作電流流...
2012-02-29 標(biāo)簽:場效應(yīng)管甲類功放功放制作 1.4萬 2
焊接絕緣柵(或雙柵)場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時,因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會感應(yīng)靜電高壓,導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下...
2011-12-12 標(biāo)簽:集成電路CMOS場效應(yīng)管 4.4k 0
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文:MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effec...
2011-11-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管電子電路 1.6萬 4
今天我們來介紹一款逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適...
2011-10-09 標(biāo)簽:場效應(yīng)管逆變器電源變壓器 31.8萬 62
這里介紹的逆變器主要由MOS場效應(yīng)管以及該變壓器的工作原理及制作過程。這里采用CD4069構(gòu)成方波信號發(fā)生器。
2011-09-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管逆變器MOS場效應(yīng)管 2.8萬 0
這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛...
2011-06-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)管逆變器MOS 1.0萬 1
電路原理: 這款場效應(yīng)管功放,適合那些傾心于電子管音色,因而各種原因無法自制出靚聲的膽后級發(fā)燒友。此款雙極型
2010-12-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管功放電路 3.3萬 1
目前,有很多“土炮族”都喜歡自己動手組裝在燒圈里頗為流行的ALA功放,該功放的音質(zhì)確是不錯,可對于發(fā)燒
2010-12-25 標(biāo)簽:功放場效應(yīng)管 1.0萬 1
功率場效應(yīng)管(MOSFET)在電源各個領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。然而擁有MOSFET的研發(fā)能力的公司僅限于國外的幾個半導(dǎo)體巨頭,國產(chǎn)
2010-10-09 標(biāo)簽:場效應(yīng)管電動自行車 1.6萬 0
1.概念 根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐,屬
2010-08-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET 1.6k 0
在場效應(yīng)管對照表中,收編了美國、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場次晶體管(MOSFET)、肖特基勢壘控...
2010-06-14 標(biāo)簽:場效應(yīng)管 7.5k 0
高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大的變化,這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細(xì)微差別及不同...
2010-06-02 標(biāo)簽:場效應(yīng)管高壓 1.2k 0
自偏壓電路 自偏壓用于結(jié)型和耗盡型MOS管放大電路,圖5.2-6示出N溝道結(jié)型場效應(yīng)管自偏電路。
2010-04-16 標(biāo)簽:場效應(yīng)管 4.3k 0
場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別 場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點,因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管 1.1k 0
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