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華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司作為江蘇省無錫市落實中央打造以企業(yè)為創(chuàng)新主體的新創(chuàng)新體系典型,在江蘇省/無錫市政府、國家02重大專項與國家封測產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的共同支持下于2012年9月在無錫新區(qū)正式注冊成立。
具有旁路模式的 40 MHz 至 1 G 中帶 1805 至 2170 MHz 低 850 至 920 MHz、19 dBm 700 至 800 MHz、19 dBm 2110 至 2170 MHz 線性功率 851 至 894 MHz 線性功率放大 758 至 803 MHz 線性功率放大 1930 至 1995 MHz 線性功率 1805 至 1880 MHz 高效 4 800 至 900 MHz 高效 4 W 5 GHz、23dBm 功率放大器,帶功 高功率 ( 19 dBm) 802.11
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