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半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

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半導(dǎo)體材料資訊

北京六大領(lǐng)域打造未來(lái)產(chǎn)業(yè)策源高地，重點(diǎn)發(fā)展超寬禁帶半導(dǎo)體材料等細(xì)分產(chǎn)業(yè)

聚焦突破納米結(jié)構(gòu)超透鏡、虛擬化身、真3D顯示、高性能算力芯片、虛擬現(xiàn)實(shí)操作系統(tǒng)等元宇宙前沿底層技術(shù)，確定互聯(lián)網(wǎng)3.0發(fā)展路線。推動(dòng)人工智能賦能元宇宙，推...

2023-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料人工智能元宇宙 1.9k 0

“新型射頻組件模塊”等21個(gè)新一代電子信息產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約石家莊

在“石家莊新一代電子信息產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約儀式”上，簽署了北京中電科航電子元器件檢測(cè)中心項(xiàng)目、新型射頻組件模塊項(xiàng)目、半導(dǎo)體材料設(shè)備研發(fā)及生產(chǎn)項(xiàng)目等共21個(gè)項(xiàng)目。

2023-09-12 標(biāo)簽：射頻半導(dǎo)體材料中電科 726 0

西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地二期項(xiàng)目工藝設(shè)備搬入

據(jù)cnt消息，二期工程竣工后，基地整體月產(chǎn)量將達(dá)到100萬(wàn)包，生產(chǎn)規(guī)模將進(jìn)入世界前六名，進(jìn)一步提高中國(guó)半導(dǎo)體硅材料產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

2023-08-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈 1.7k 0

兩部門印發(fā)前沿材料產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)發(fā)展指導(dǎo)目錄，超導(dǎo)材料、二維半導(dǎo)體在列

8月28日，工信部和國(guó)務(wù)院國(guó)有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會(huì)發(fā)布《關(guān)于印發(fā)前沿材料產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)發(fā)展指導(dǎo)目錄（第一次）的通知》，超導(dǎo)材料、二維半導(dǎo)體材料、量子點(diǎn)材料、石...

2023-08-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料石墨烯量子點(diǎn) 1.2k 0

威頓晶磷完成億元級(jí)Pre-IPO輪融資

中國(guó)本土的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求占全球的1/3，隨著國(guó)內(nèi)新建晶圓廠陸續(xù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，配套半導(dǎo)體材料也迎來(lái)高速增長(zhǎng)。目前國(guó)內(nèi)85%半導(dǎo)體材料需要依靠進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。

2023-08-26 標(biāo)簽：光伏晶圓廠半導(dǎo)體材料 2.8k 0

瑞波科涂布型OLED相位差補(bǔ)償膜等項(xiàng)目8月底前封頂

據(jù)了解，瑞波科在郫都區(qū)投資建設(shè)的瑞波科總部及高機(jī)能半導(dǎo)體材料研發(fā)制造項(xiàng)目，主要從事涂布型OLED相位差補(bǔ)償膜和集成電路等相關(guān)領(lǐng)域功能膜材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷...

2023-08-17 標(biāo)簽：集成電路 OLED 半導(dǎo)體材料 1.3k 0

半導(dǎo)體材料，將強(qiáng)勢(shì)復(fù)蘇

2023年的經(jīng)濟(jì)放緩糾正了整個(gè)供應(yīng)鏈的材料供應(yīng)限制。不過(guò)，隨著行業(yè)復(fù)蘇和全球新晶圓廠的增加，對(duì)材料的需求將會(huì)增強(qiáng)。300毫米晶圓、外延晶圓、一些特種氣體...

2023-08-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件半導(dǎo)體材料 1.2k 0

無(wú)錫江陰正式發(fā)布“芯鏈計(jì)劃”

此次晶片鏈計(jì)劃全面啟動(dòng)和簽約項(xiàng)目的成功落地，將為江陰集成電路產(chǎn)業(yè)強(qiáng)有力的鏈條完善和進(jìn)入1000億階段提供新的支持，注入新的動(dòng)能。會(huì)上，江陰宣傳集成電路產(chǎn)...

2023-08-14 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料晶片 1k 0

碳化硅晶圓對(duì)半導(dǎo)體的作用

　如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。

2023-07-25 標(biāo)簽：晶圓功率器件半導(dǎo)體材料 1.1k 0

LED芯片廠商聚燦光電率先發(fā)布2023年半年度報(bào)告

2023年上半年，全球性公共衛(wèi)生事件影響減弱，政府經(jīng)濟(jì)刺激政策密集出臺(tái)，宏觀經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，原本受抑制的家庭裝修、商業(yè)活動(dòng)、文化旅游和運(yùn)動(dòng)賽事等需求恢復(fù)，人民...

2023-07-20 標(biāo)簽：led LED芯片半導(dǎo)體材料 977 0

拓材科技總部及高純電子信息材料研發(fā)生產(chǎn)基地落戶武漢

據(jù)新城葛店消息，這個(gè)項(xiàng)目是武漢拓材科技有限公司投資10億元建設(shè)占地100畝，主要建設(shè)總公司及電子高純材料、半導(dǎo)體級(jí)高純材料、高純化合物景、半導(dǎo)體單晶襯底...

2023-07-18 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1.1k 0

重大進(jìn)展！中國(guó)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備

該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸...

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體材料 1.2k 0

12英寸二維半導(dǎo)體晶圓的批量制備完成

研究人員針對(duì)擴(kuò)大二維半導(dǎo)體晶圓尺寸和批量制備的核心科學(xué)問(wèn)題，提出了一種全新的模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)策略，成功實(shí)現(xiàn)了最大尺寸為12英寸的二維半導(dǎo)體晶圓的批量制備。

2023-07-13 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體材料 676 0

劉開(kāi)輝教授課題組在12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備研究中取得進(jìn)展

晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體的批量制備，是推動(dòng)相應(yīng)先進(jìn)技術(shù)向產(chǎn)業(yè)化過(guò)渡的關(guān)鍵所在。二維半導(dǎo)體薄膜尺寸需達(dá)到與硅基技術(shù)兼容的直徑300 mm（12-inch）標(biāo)準(zhǔn)，以...

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體材料 1.3k 0

中國(guó)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，以單層過(guò)渡金屬硫族化合物為代表。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)展路線類似，晶圓材料是推動(dòng)二維半導(dǎo)體技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化...

2023-07-12 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體材料 1.1k 0

中國(guó)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)！

二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，如層數(shù)依賴的可調(diào)帶隙、自旋-谷鎖定特性、超快響應(yīng)速度、高載流子遷移率、高比表面積等，因此成為新一...

2023-07-12 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體材料模塊化 1.2k 0

限制出口的鎵和鍺有何重要性？

鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，已被列入國(guó)家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄。中國(guó)在鎵和鍺的儲(chǔ)量和出口方面都處于全球領(lǐng)先地位。

2023-07-10 標(biāo)簽：衛(wèi)星通信半導(dǎo)體材料砷化鎵 2k 0

商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告，對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口

該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...

2023-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 2.1k 0

半導(dǎo)體材料都有哪些？半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分類狀況

集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)等關(guān)鍵步驟，其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料，按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。

2023-07-03 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.6萬(wàn) 0

中電化合物與韓國(guó)Power Master簽約，供應(yīng)8英寸在內(nèi)的SiC材料

中電化合物致力研發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，已在寧波前灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園建成包含碳...

2023-06-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 華大半導(dǎo)體 1k 0

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