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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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簡要介紹篩選后器件經(jīng)過馬拉松(Marathon)實驗的典型結(jié)果
目前針對SiC的研究已相當(dāng)深入,仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力,本文對此再做一個簡要介紹。如圖1所示,相較于Si基材料,SiC與SiO2柵氧層界面缺...
對硅替代品的探索始于上個世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時研究人員和大學(xué)對幾種寬帶隙材料進行了試驗,這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材...
功率器件市場演變及相關(guān)技術(shù)發(fā)展
如今,我們生活在一個由電氣化和自動化驅(qū)動的時代,特別注重減少污染和提高效率,電力電子市場正在朝著這些目標(biāo)發(fā)展。需要減少高 CO 2排放量以實現(xiàn)更清潔的環(huán)...
羅姆阿波羅工廠新建 SiC 功率器件生產(chǎn)設(shè)施
日本筑后羅門阿波羅工廠增建了一座新廠房,旨在提高碳化硅(SiC)功率器件的生產(chǎn)能力。這個新工廠包括工廠自動化和可再生節(jié)能技術(shù),以實現(xiàn)更綠色的制造過程。 ...
近期,由于東南亞持續(xù)爆發(fā)新冠病毒疫情,全球IDM(Integrated Devices Manufactures)工廠紛紛調(diào)整晶圓廠產(chǎn)能,減少消費類電子...
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...
世強硬創(chuàng)已獲545家全球知名原廠授權(quán)代理
近日,世強先進(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強先進”)與三家芯片供應(yīng)商——沁恒、中科億海微、恒沁微,一家集成電路供應(yīng)商——華冠半導(dǎo)體,以及一家功率器...
當(dāng)硅和寬禁帶器件(如碳化硅和垂直 GaN)的溫度下降時,會出現(xiàn)兩個重要現(xiàn)象,如文章中所述:載流子遷移率隨著高性能參數(shù)電子-聲子相互作用的降低而上升。此外...
包括汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和能源行業(yè)在內(nèi)的多種電子應(yīng)用對大功率設(shè)備的需求正在增加。如今,功率器件必須滿足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴(yán)格要求...
在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管功率器件 1.3k 0
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
射頻功率電路的熱管理本質(zhì)上包括從電路的元件和敏感區(qū)域去除多余的熱量,以保證在所有操作條件下的最佳性能并避免電路退化或故障。
(文/程文智)根據(jù)乘聯(lián)會的統(tǒng)計,6月份新能源汽車零售量53.2萬輛,同比增長187%,滲透率達到了27.4%,預(yù)計2022年中國新能源汽車出貨量可達58...
2022-07-28 標(biāo)簽:功率器件 3.6k 0
國產(chǎn)的車規(guī)級功率器件有哪些廠商可以提供
據(jù)市場反饋,應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛,安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單,英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據(jù)富昌電子202...
直接導(dǎo)線鍵合結(jié)構(gòu)最大的特點就是利用焊料,將銅導(dǎo)線與芯片表面直接連接在一起,相對引線鍵合技術(shù),該技術(shù)使用的銅導(dǎo)線可有效降低寄生電感,同時由于銅導(dǎo)線與芯片表...
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