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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低...

2024-11-19 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計 1.1k 0

一文詳解SiC單晶生長技術(shù)

高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 2.5k 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本...

2024-11-12 標(biāo)簽：芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1.9k 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

2024-11-05 標(biāo)簽：散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 2.4k 0

被動元件：電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?

在電路中使用三種類型的被動元件：電阻器、電感器和電容器。被動元件意味著這些元件在電壓或電流波動時，其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件，對電壓和電流的...

2024-10-30 標(biāo)簽：電容器電阻器電感器 1.5k 0

IGB基本知識匯總

本文對IGBT領(lǐng)域的深入研究與綜合剖析成果，首先與您分享關(guān)于IGBT的基本原理及其構(gòu)成元素，如芯片、單管及模塊等方面的知識。接下來將共同關(guān)注的是IGBT...

2024-10-29 標(biāo)簽：新能源汽車 IGBT 電機(jī)控制器 1.6k 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

2024-10-22 標(biāo)簽：熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 2k 0

功率半導(dǎo)體封裝的趨勢分析

隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場正迎來顯著增長，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加，以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...

2024-10-15 標(biāo)簽：封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.2k 0

超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢

在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。

2024-10-15 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源 MOS管 2.2k 0

功率半導(dǎo)體模塊的功率循環(huán)

針對應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng)，當(dāng)下關(guān)注的焦點是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。

2024-09-27 標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體 Littelfuse 1.1k 0

功率半導(dǎo)體讓生活更美好

2024-09-20 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動電力電子功率半導(dǎo)體 903 0

功率半導(dǎo)體設(shè)備供電解決方案

隨著功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展，半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展也不斷興起。國家重要會議提出，到 2035 年要實現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)。從半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的國產(chǎn)替代角度而言，目...

2024-09-12 標(biāo)簽：電源測試系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 1.1k 0

功率半導(dǎo)體器件測試解決方案

功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來，我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新，產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...

2024-09-12 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 1.3k 0

IGBT熱管理解決方案

自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來，IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費和工業(yè)用途的電動汽車和電動機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...

2024-09-12 標(biāo)簽：IGBT 功率器件熱管理 1.4k 0

半橋驅(qū)動器和全橋驅(qū)動器的差異

半橋驅(qū)動器和全橋驅(qū)動器是電力電子領(lǐng)域中兩種常見的電路驅(qū)動器，它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。

2024-08-28 標(biāo)簽：全橋驅(qū)動器功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動器 8.3k 0

半橋驅(qū)動器的工作原理和應(yīng)用

半橋驅(qū)動器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動器，主要用于控制電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對半橋驅(qū)動器的詳細(xì)解析，包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。

2024-08-28 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動器 6.8k 0

GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺...

2024-08-15 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 HEMT 3.8k 0

一文搞懂掃描電鏡（SEM）技術(shù)解讀與大功率半導(dǎo)體模塊封裝解析

從本質(zhì)上講，SEM "觀察"樣品表面的方式可以比作一個人獨自在暗室中使用手電筒（窄光束）掃描墻上的物體。從墻的一側(cè)到另一側(cè)進(jìn)行掃描，...

2024-08-08 標(biāo)簽：封裝 SEM 功率半導(dǎo)體 9.5k 0

功率半導(dǎo)體雙脈沖測試方案

寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件，在電源處理器中充當(dāng)了越來越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢，成為各種電源或電源模塊的...

2024-08-06 標(biāo)簽：處理器功率半導(dǎo)體是德科技 1.8k 0

探秘銅基板：IGBT高效散熱的關(guān)鍵所在

隨著科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...

2024-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 功率半導(dǎo)體 2.5k 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
UCD3138

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