第三代半導(dǎo)體器件SiC MOSFET依靠開關(guān)速度快,工作頻率高,耐高溫,導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn),在新能源汽車,光伏逆變器,電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合逐步替代傳統(tǒng)的硅功率器件.由于開關(guān)速度的提高,器件對(duì)電路中的寄生參數(shù)更加敏感,這對(duì)SiC MOSFET在并聯(lián)應(yīng)用中的安全性和穩(wěn)定性提出了挑戰(zhàn),當(dāng)SiC MOSFET應(yīng)用在橋式電路時(shí),高速開關(guān)動(dòng)作引發(fā)的串?dāng)_問題嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的可靠性.為了使SiC MOSFET在電路系統(tǒng)中穩(wěn)定運(yùn)行,本文主要針對(duì)并聯(lián)均流和串?dāng)_抑制問題展開研究.第一部分首先對(duì)SiC MOSFET電氣特性和開關(guān)過程進(jìn)行分析,介紹了SiC MOSFET的物理結(jié)構(gòu)和工作原理,根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)對(duì)SiC MOSFET和Si IGBT的傳遞特性,輸出特性進(jìn)行對(duì)比.其次構(gòu)建了雙脈沖測(cè)試電路模型對(duì)SiC MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行了理論分析.最后從開關(guān)時(shí)間,電壓電流變化速率,電壓電流應(yīng)力,開關(guān)損耗入手,通過仿真分析驗(yàn)證了寄生電容,寄生電感,驅(qū)動(dòng)電阻對(duì)SiC MOSFET開關(guān)特性的影響.第二部分針對(duì)SiC MOSFET并聯(lián)應(yīng)用中的均流問題進(jìn)行研究,首先從動(dòng)態(tài)和穩(wěn)態(tài)過程兩方面分析了電流不均衡產(chǎn)生的原因,通過理論推導(dǎo)出電流不均衡的關(guān)鍵影響因素并進(jìn)行仿真分析,仿真結(jié)果與理論分析一致.其次采用了一種阻抗補(bǔ)償聯(lián)合柵源共模扼流圈的均流方案,利用等效電路模型分析了其均流原理.最后搭建SiC MOSFET雙管并聯(lián)電路仿真。